[发明专利]一种提高硅单晶少子寿命的石英坩埚制造工艺在审
| 申请号： | 201910966225.5 | 申请日： | 2019-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN110863241A | 公开（公告）日： | 2020-03-06 |
| 发明（设计）人： | 刘振宇;徐强;高润飞;王林;谷守伟;王建平;周泽;杨志;吴树飞;赵国伟;王鑫;刘学;皇甫亚楠;杨瑞峰;郭志荣 | 申请（专利权）人： | 内蒙古中环光伏材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/10 | 分类号： | C30B15/10;C30B29/06 |
| 代理公司： | 天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 12213 | 代理人： | 栾志超 |
| 地址： | 010070 内蒙古自*** | 国省代码： | 内蒙古;15 |
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| 摘要： | 本发明提供一种提高硅单晶少子寿命的石英坩埚制造工艺，该石英坩埚包括气泡层和透明层，气泡层设于透明层的外部，石英坩埚的制造工艺包括以下步骤：S1：进行氢氧化铝粉末的重量的计算；S2：将氢氧化铝粉末与高纯石英砂混合，形成含有铝元素的石英砂；S3：采用高纯石英砂进行气泡层制备；S4：采用含有铝元素的石英砂在气泡层的内壁制备透明层。本发明的有益效果是在石英坩埚的制备过程中，气泡层制备时的原料采用高纯石英砂，透明层制备时的原料采用掺有氢氧化铝的高纯石英砂，在石英坩埚制造前引入成核剂，不会产生额外的制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 硅单晶 少子 寿命 石英 坩埚 制造 工艺 | ||
【主权项】：
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