[发明专利]一种提高硅单晶少子寿命的石英坩埚制造工艺在审
| 申请号： | 201910966225.5 | 申请日： | 2019-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN110863241A | 公开（公告）日： | 2020-03-06 |
| 发明（设计）人： | 刘振宇;徐强;高润飞;王林;谷守伟;王建平;周泽;杨志;吴树飞;赵国伟;王鑫;刘学;皇甫亚楠;杨瑞峰;郭志荣 | 申请（专利权）人： | 内蒙古中环光伏材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/10 | 分类号： | C30B15/10;C30B29/06 |
| 代理公司： | 天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 12213 | 代理人： | 栾志超 |
| 地址： | 010070 内蒙古自*** | 国省代码： | 内蒙古;15 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 提高 硅单晶 少子 寿命 石英 坩埚 制造 工艺 | ||
1.一种提高硅单晶少子寿命的石英坩埚制造工艺，该石英坩埚包括气泡层和透明层，所述气泡层设于所述透明层的外部，其特征在于：所述石英坩埚的制造工艺包括以下步骤：
S1：进行氢氧化铝粉末的重量的计算；
S2：将所述氢氧化铝粉末与高纯石英砂混合，形成含有铝元素的石英砂；
S3：采用高纯石英砂进行所述气泡层制备；
S4：采用所述含有铝元素的石英砂在所述气泡层的内壁制备透明层。
2.根据权利要求1所述的提高硅单晶少子寿命的石英坩埚制造工艺，其特征在于：所述步骤S1中氢氧化铝的重量计算为根据所述氢氧化铝的重量与制备所述透明层的高纯石英砂的重量之比进行计算。
3.根据权利要求2所述的提高硅单晶少子寿命的石英坩埚制造工艺，其特征在于：所述氢氧化铝的重量与所述制备所述透明层的高纯石英砂的重量之比为0.01-0.1g/kg。
4.根据权利要求2或3所述的提高硅单晶少子寿命的石英坩埚制造工艺，其特征在于：所述制备透明层的高纯石英砂的重量根据所述透明层的厚度进行计算，所述透明层的厚度为3-6mm。
5.根据权利要求4所述的提高硅单晶少子寿命的石英坩埚制造工艺，其特征在于：所述步骤S3中的采用高纯石英砂进行所述气泡层制备步骤为：
S30：将高纯石英砂置于模具内进行熔融；
S31：进行离心吹塑，形成所述气泡层。
6.根据权利要求5所述的提高硅单晶少子寿命的石英坩埚制造工艺，其特征在于：所述步骤S4中采用所述含有铝元素的石英砂在所述气泡层的内壁制备透明层包括以下步骤：
S40：在所述气泡层形成后，放入所述含有铝元素的石英砂，并进行熔融；
S41：进行离心吹塑，形成所述透明层；
S42：冷却后，将所述石英坩埚取出。
7.根据权利要求1-3、5、6任一项所述的提高硅单晶少子寿命的石英坩埚制造工艺，其特征在于：所述气泡层的厚度为6-8mm。
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