[发明专利]一种金刚石微通道Cu基CVD金刚石热沉片及其制备方法有效
申请号: | 201910964118.9 | 申请日: | 2019-10-11 |
公开(公告)号: | CN110557936B | 公开(公告)日: | 2020-11-03 |
发明(设计)人: | 王进军 | 申请(专利权)人: | 陕西科技大学 |
主分类号: | H01L23/373 | 分类号: | H01L23/373 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人: | 高博 |
地址: | 710021*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明公开了一种金刚石微通道Cu基CVD金刚石热沉片及其制备方法,从下至上依次包括Cu基底、微通孔模板和CVD金刚石薄,Cu基底和微通孔模板之间设置有纳米金刚石颗粒,Cu基底中镶嵌有金刚石微通道阵列,金刚石微通道的直径为0.3~0.5mm,微通道间距2~3mm。本发明散热效果优于Ag、Cu、Al等传统热沉片;微通道Cu基金刚石热沉片散热性能更优;大大提高了微通孔内金刚石的形核密度和生长速率;在微通孔内实现了金刚石薄膜CVD选择生长。 | ||
搜索关键词: | 一种 金刚石 通道 cu cvd 热沉片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种金刚石微通道Cu基CVD金刚石热沉片,其特征在于,从下至上依次包括Cu基底(1)、微通孔模板(3)和CVD金刚石薄(4),Cu基底(1)和微通孔模板(3)之间设置有纳米金刚石颗粒(2),Cu基底(1)中镶嵌有金刚石微通道阵列,金刚石微通道的直径为0.3~0.5mm,微通道间距2~3mm。/n
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