[发明专利]判断黑硅制绒工艺稳定性的方法及太阳能电池的制作方法有效
| 申请号： | 201910959760.8 | 申请日： | 2019-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN110676350B | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 王红芳;徐卓;李锋;史金超;于全庆;尚琪;陈志军;王中河;单欣梅;苑北海 | 申请（专利权）人： | 英利能源（中国）有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L21/66 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 陈晓彦 |
| 地址： | 071051 河*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明涉及太阳能电池技术领域，具体公开一种判断黑硅制绒工艺稳定性的方法及太阳能电池的制作方法。所述方法包括如下步骤：取不同时间点完成制绒的黑硅样片，测试反射率；判断反射率是否在预设反射率的范围内，若是，则进入下一步骤，否则调整制绒工艺后再进入上一步骤；选取反射率差值在预设反射率差值范围内的黑硅样片，进行镀膜；进行色差分析，若色差在预设色差范围内，则判定制绒工艺在所述不同时间点之间稳定，否则调整制绒工艺后再进入测试反射率步骤。本发明提供的方法，工艺简单，方便快捷，能够快速反应硅片表面绒面的变化，及时调整制绒工艺，有效降低组件产品色差不良率，降低组件返修率，节约生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 判断 黑硅制绒 工艺 稳定性 方法 太阳能电池 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种判断黑硅制绒工艺稳定性的方法，其特征在于：包括如下步骤：/nS1：取相同制绒工艺下不同时间点完成制绒的黑硅样片，进行反射率测试；/nS2：判断所述反射率是否在预设反射率的范围内，若是，则进入步骤S3，否则调整制绒工艺后再进入步骤S1；/nS3：选取反射率差值在预设反射率差值范围内的黑硅样片，在相同的镀膜条件下进行镀膜处理；/nS4：对镀膜后的黑硅样片进行色差分析，若色差在预设色差范围内，则判定制绒工艺在所述不同时间点之间稳定，否则调整制绒工艺后再进入步骤S1。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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