[发明专利]判断黑硅制绒工艺稳定性的方法及太阳能电池的制作方法

说明书

本发明涉及太阳能电池技术领域，具体公开一种判断黑硅制绒工艺稳定性的方法及太阳能电池的制作方法。所述方法包括如下步骤：取不同时间点完成制绒的黑硅样片，测试反射率；判断反射率是否在预设反射率的范围内，若是，则进入下一步骤，否则调整制绒工艺后再进入上一步骤；选取反射率差值在预设反射率差值范围内的黑硅样片，进行镀膜；进行色差分析，若色差在预设色差范围内，则判定制绒工艺在所述不同时间点之间稳定，否则调整制绒工艺后再进入测试反射率步骤。本发明提供的方法，工艺简单，方便快捷，能够快速反应硅片表面绒面的变化，及时调整制绒工艺，有效降低组件产品色差不良率，降低组件返修率，节约生产成本。

技术领域

本发明涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及一种判断黑硅制绒工艺稳定性的方法及太阳能电池的制作方法。

背景技术

黑硅是一种能大幅提高光电转换效率的新型电子材料，广泛应用于太阳能电池的制作。黑硅的制备方法主要分为干法和湿法两种。干法黑硅技术即反应离子刻蚀法(RIE)，可以显著降低反射率，改善表面光学特性，但是RIE技术在生产运用过程中仍存在安全性差、工艺繁杂、升级成本高等问题。因此，基于金属催化化学腐蚀技术的湿法黑硅技术更广泛的应用于太阳能工业化生产中。

湿法黑硅技术是利用AgNO₃中的Ag/Ag⁺系统能量远低于硅的价带，使溶液中的Ag⁺得到硅的价带电子，从硅表面的Si-Si键中获得电子被还原，形成银单质颗粒，沉积在硅片表面。然后，利用H₂O₂/HF腐蚀系统在Ag周围加速与硅反应，随着反应的进行，银颗粒下面的硅被不断腐蚀，银颗粒会持续向下移动，最终形成一定长度的纳米线。纳米线以及嵌入的银颗粒还不能满足制备黑硅电池的要求，纳米线的表面效应和银金属颗粒会造成强烈的复合，因此，在湿法黑硅制备中需要去除银颗粒并对纳米线结构进行一定表面蚀刻修饰，以降低复合提高电池效率。

由于湿法黑硅技术使用的是化学药液及添加剂，反应过程复杂，药液存在反应周期，工艺容易波动，易对制绒后的硅片绒面造成影响，绒面形貌及尺寸大小不易控制，影响电池效率及外观。因此，在监控反射率的情况下，仍需对其硅片表面结构进行监控以及时调整工艺过程，进而减小产出的太阳电池色差片种类增多问题，及后续组件产品色差不良率的产生，从而降低生产成本。虽然，扫描电镜(SEM)测试方法，可观察硅片绒面的微观结构，但该方法需要将所取样品送至专有的检测部门，由专业人员对样品进行取样处理并进行测量，用时较长，过程复杂，不能及时反应出黑硅制绒过程中工艺波动情况。

发明内容

针对现有湿法黑硅技术中存在的上述问题，本发明提供一种判断黑硅制绒工艺稳定性的方法及太阳能电池的制作方法。

为达到上述发明目的，本发明实施例采用了如下的技术方案：

判断黑硅制绒工艺稳定性的方法，包括如下步骤：

S1：取相同制绒工艺下不同时间点完成制绒的黑硅样片，进行反射率测试；

S2：判断所述反射率是否在预设反射率的范围内，若是，则进入步骤S3，否则调整制绒工艺后再进入步骤S1；

S3：选取反射率差值在预设反射率差值范围内的黑硅样片，进行镀膜处理；

S4：对镀膜后的黑硅样片进行色差分析，若色差在预设色差范围内，则判定制绒工艺在所述不同时间点之间稳定，否则调整制绒工艺后再进入步骤S1。