[发明专利]电容承接板的形成方法、半导体存储器及其形成方法

摘要

本发明提供了一种电容承接板的形成方法、半导体存储器及其形成方法。所述电容承接板的形成方法包括如下步骤：提供一基底，所述基底包括衬底和位于衬底表面的若干电容触点，所述衬底内具有若干条字线；形成导电层于所述基底表面；形成第一掩膜结构于所述导电层表面，所述第一掩膜结构中具有第一刻蚀图形；形成第二掩膜结构于所述第一掩膜结构之上，所述第二掩膜结构中具有第二刻蚀图形；以所述第一刻蚀图形和所述第二刻蚀图形在沿垂直于所述基底方向上的投影相交的部分作为电容承接板图形，刻蚀所述导电层，形成相对于所述字线倾斜一预设角度的电容承接板。本发明能够有效的控制电容承接板的尺寸以及相邻电容承接板之间的间距。