[发明专利]电容承接板的形成方法、半导体存储器及其形成方法

权利要求书

1.一种电容承接板的形成方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供一基底，所述基底包括衬底和位于所述衬底表面的若干电容触点，所述衬底内具有若干条字线；

形成导电层于所述基底表面；

形成第一掩膜结构于所述导电层表面，所述第一掩膜结构中具有沿第一方向延伸的第一刻蚀图形；

形成第二掩膜结构于所述第一掩膜结构之上，所述第二掩膜结构中具有沿第二方向延伸的第二刻蚀图形，所述第一方向与所述第二方向倾斜相交；

以所述第一刻蚀图形和所述第二刻蚀图形在沿垂直于所述基底方向上的投影相交的部分作为电容承接板图形，刻蚀所述导电层，形成与若干电容触点一一对应的若干电容承接板，所述电容承接板相对于所述字线倾斜一预设角度。

2.根据权利要求1所述的电容承接板的形成方法，其特征在于，形成导电层于所述基底表面的具体步骤包括：

形成覆盖于所述基底表面的隔离层，所述隔离层中具有若干暴露所述电容触点的接触窗口；

形成填充满所述接触窗口并覆盖所述隔离层顶面的导电层。

3.根据权利要求2所述的电容承接板的形成方法，其特征在于，形成第一掩模结构于所述导电层表面的具体步骤包括：

形成覆盖于所述导电层表面的第一掩膜层；

形成覆盖于所述第一掩膜层表面的第二掩膜层；

刻蚀所述第二掩膜层，形成暴露所述第一掩膜层且沿第一方向延伸的第一沟槽，并以所述第一沟槽作为第一刻蚀图形。

4.根据权利要求3所述的电容承接板的形成方法，其特征在于，形成暴露所述第一掩膜层且沿第一方向延伸的第一沟槽的具体步骤包括：

形成覆盖于所述第二掩膜层表面的第三掩膜层；

形成覆盖于所述第三掩膜层表面的第四掩膜层；

形成第一光阻层于所述第四掩膜层表面，所述第一光阻层中具有暴露所述第四掩膜层、且沿第一方向延伸的第一开口；

形成覆盖所述第一开口侧壁的第一侧墙；

以所述第一侧墙为掩膜刻蚀所述第四掩膜层、所述第三掩膜层和所述第二掩膜层，形成所述第一沟槽。

5.根据权利要求3所述的电容承接板的形成方法，其特征在于，所述第一掩膜层的材料为氮化物材料，所述第二掩膜层的材料为多晶硅材料。

6.根据权利要求3所述的电容承接板的形成方法，其特征在于，形成第二掩膜结构于所述第一掩膜结构之上的具体步骤包括：

形成填充满所述第一刻蚀结构并覆盖所述第二掩膜层顶面的第五掩膜层；

形成覆盖所述第五掩膜层的第六掩膜层；

形成第二光阻层于所述第六掩膜层表面，所述第二光阻层中具有暴露所述第六掩膜层且沿第二方向延伸的第二开口；

形成覆盖所述第二开口侧壁的第二侧墙；

去除所述第二光阻层，于相邻的所述第二侧墙之间形成沿第二方向延伸的第二沟槽，并以所述第二沟槽作为第二刻蚀图形。

7.根据权利要求6所述的电容承接板的形成方法，其特征在于，刻蚀所述导电层的具体步骤包括：

除去所述第二掩膜层中与所述第二侧墙投影交叠区域之外的部分、所述第五掩膜层、所述第六掩膜层和所述第二侧墙，于所述第一掩膜层表面形成电容承接板图形；

以所述电容承接板图形为掩膜图形刻蚀所述导电层。

8.根据权利要求7所述的电容承接板的形成方法，其特征在于，所述导电层表面还包括第七掩膜层，所述第一掩模结构位于所述第七掩膜层表面；以所述电容承接板图形为掩膜图形刻蚀所述导电层的具体步骤还包括：

以所述电容承接板图形为掩膜图形、以所述隔离层为刻蚀截止层，刻蚀所述第一掩膜层、所述第七掩膜层和所述导电层，形成与若干电容触点一一对应的若干电容承接板。

9.根据权利要求8所述的电容承接板的形成方法，其特征在于，所述第七掩膜层为有机掩膜层。