[发明专利]电容承接板的形成方法、半导体存储器及其形成方法

说明书

本发明提供了一种电容承接板的形成方法、半导体存储器及其形成方法。所述电容承接板的形成方法包括如下步骤：提供一基底，所述基底包括衬底和位于衬底表面的若干电容触点，所述衬底内具有若干条字线；形成导电层于所述基底表面；形成第一掩膜结构于所述导电层表面，所述第一掩膜结构中具有第一刻蚀图形；形成第二掩膜结构于所述第一掩膜结构之上，所述第二掩膜结构中具有第二刻蚀图形；以所述第一刻蚀图形和所述第二刻蚀图形在沿垂直于所述基底方向上的投影相交的部分作为电容承接板图形，刻蚀所述导电层，形成相对于所述字线倾斜一预设角度的电容承接板。本发明能够有效的控制电容承接板的尺寸以及相邻电容承接板之间的间距。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种电容承接板的形成方法、半导体存储器及其形成方法。

背景技术

动态随机存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)是计算机中常用的半导体存储器件，其由多个存储单元构成，每个存储单元通常包括晶体管和电容器。所述晶体管的栅极与字线电连接、源极与位线电连接、漏极与电容器电连接，字线上的字线电压能够控制晶体管的开启和关闭，从而通过位线能够读取存储在电容器中的数据信息，或者将数据信息写入到电容器中。

对于DRAM等半导体存储器中，若位线是弯曲状的结构，则活性区域接触点可以直接与上层的电容器连接，无需设置额外的转接结构；但是，对于位线是直线状的结构，为了满足紧密堆积的需求而形成了六方电容结构，此时，则必须要在活性区域接触点与电容器之间设置作为转接结构的电容承接板。

在现有技术中，一般通过曝光在光阻上得到电容承接板的设计形状，随后通过多道掩膜层向下转移到活性区域接触点上方，形成电容承接板图形，最后通过在所述电容承接板图形中填充金属材料形成电容承接板结构。但是，这种工艺方法不适用于小尺寸的集成电路结构，例如如果电容承接板的结构过于紧密且尺寸较小，对于曝光的间距来说，会有较大的难度，并且电容承接板分布的均匀性不易控制。

因此，如何改善电容承接板的形成工艺，提高半导体存储器的电性能，是目前亟待解决的技术问题。

发明内容

本发明提供一种电容承接板的形成方法、半导体存储器及其形成方法，用于解决现有的电容承接板不适用于紧密型的集成电路结构的问题，以提高半导体存储器的电性能。

为了解决上述问题，本发明提供了一种电容承接板的形成方法，包括如下步骤：

提供一基底，所述基底包括衬底和位于所述衬底表面的若干电容触点，所述衬底内具有若干条字线；

形成导电层于所述基底表面；

形成第一掩膜结构于所述导电层表面，所述第一掩膜结构中具有沿第一方向延伸的第一刻蚀图形；

形成第二掩膜结构于所述第一掩膜结构之上，所述第二掩膜结构中具有沿第二方向延伸的第二刻蚀图形，所述第一方向与所述第二方向倾斜相交；

以所述第一刻蚀图形和所述第二刻蚀图形在沿垂直于所述基底方向上的投影相交的部分作为电容承接板图形，刻蚀所述导电层，形成与若干电容触点一一对应的若干电容承接板，所述电容承接板相对于所述字线倾斜一预设角度。

可选的，形成导电层于所述基底表面的具体步骤包括：

形成覆盖于所述基底表面的隔离层，所述隔离层中具有若干暴露所述电容触点的接触窗口；

形成填充满所述接触窗口并覆盖所述隔离层顶面的导电层。

可选的，形成第一掩模结构于所述导电层表面的具体步骤包括：

形成覆盖于所述导电层表面的第一掩膜层；

形成覆盖于所述第一掩膜层表面的第二掩膜层；