[发明专利]一种响应温度刺激的阻变存储器的制备方法有效
| 申请号： | 201910954291.0 | 申请日： | 2019-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN112635662B | 公开（公告）日： | 2022-09-02 |
| 发明（设计）人： | 孙艳梅;温殿忠 | 申请（专利权）人： | 黑龙江大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 哈尔滨市阳光惠远知识产权代理有限公司 23211 | 代理人： | 李恩庆 |
| 地址： | 150080 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 一种响应温度刺激的阻变存储器的制备方法，属于电子技术以及存储器器件技术领域。本发明为了解决现有阻变存储器无法实现外界温度刺激的响应的问题。本发明将果胶水溶液滴涂在聚对苯二甲酸乙二醇酯衬底上真空蒸镀的铝薄膜上，铝作为上电极，获得响应温度的阻变存储器。本发明制得的阻变存储器在外界温度的刺激下可实现阻变存储器三稳态到双稳态转换的特性响应，拓展了调控阻变存储器特性的手段，为实现阻变存储器的温控特性调制提供了可能，进而可以更好的应用于智能存储等新兴领域。并且本方法制备的阻变存储器的功能层所用原料为果胶，相比于使用重金属粒子掺杂得到功能层，对环境更加友好，且该阻变存储器的开关比高、性能稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 响应 温度 刺激 存储器 制备 方法 | ||
【主权项】：
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