[发明专利]一种响应温度刺激的阻变存储器的制备方法

权利要求书

1.一种响应温度刺激的阻变存储器的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

步骤一，在聚对苯二甲酸乙二醇酯衬底上真空蒸镀铝薄膜；

步骤二，将果胶粉和果胶酶溶解在去离子水中，搅拌均匀，获得果胶水溶液；

步骤三，将步骤二获得的果胶水溶液滴涂在铝薄膜上形成功能层；

步骤四，在功能层上覆盖铝电极矩阵，形成上电极，获得响应温度刺激的阻变存储器；所述的步骤二中果胶粉、果胶酶和去离子水的质量比为(2～4):(0.1～0.3):10。

2.根据权利要求1所述的一种响应温度刺激的阻变存储器的制备方法，其特征在于：所述的步骤一真空蒸镀条件为1×10^-4Pa～3×10^-4Pa，沉积速率为3～5埃/秒。

3.根据权利要求1所述的一种响应温度刺激的阻变存储器的制备方法，其特征在于：所述的果胶粉为3mg，果胶酶为0.3mg，去离子水为10ml。

4.根据权利要求1所述的一种响应温度刺激的阻变存储器的制备方法，其特征在于：所述的步骤三果胶水溶液滴涂在铝薄膜上形成薄膜具体操作过程为：

步骤1，将果胶水溶液滴加在铝薄膜上形成薄膜；然后，室温下静置干燥至薄膜含水量为70％-80％；

步骤2，重复步骤1的操作4-5次，最后，室温下静置干燥至薄膜含水量低于3.5％，形成功能层。

5.根据权利要求1所述的一种响应温度刺激的阻变存储器的制备方法，其特征在于：所述的步骤四在功能层上利用掩膜法真空蒸镀制备铝电极矩阵。

6.根据权利要求5所述的一种响应温度刺激的阻变存储器的制备方法，其特征在于：所述的掩膜法真空蒸镀制备铝电极矩阵的条件为真空度为1×10^-4Pa～3×10^-4Pa，沉积速率为3～5埃/秒；掩膜板的孔径为100μm，孔间距为150μm。

7.根据权利要求1或5所述的一种响应温度刺激的阻变存储器的制备方法，其特征在于：所述的铝电极矩阵由直径为100μm，厚度为200nm以上的圆形铝电极构成。