[发明专利]一种响应温度刺激的阻变存储器的制备方法

说明书

一种响应温度刺激的阻变存储器的制备方法，属于电子技术以及存储器器件技术领域。本发明为了解决现有阻变存储器无法实现外界温度刺激的响应的问题。本发明将果胶水溶液滴涂在聚对苯二甲酸乙二醇酯衬底上真空蒸镀的铝薄膜上，铝作为上电极，获得响应温度的阻变存储器。本发明制得的阻变存储器在外界温度的刺激下可实现阻变存储器三稳态到双稳态转换的特性响应，拓展了调控阻变存储器特性的手段，为实现阻变存储器的温控特性调制提供了可能，进而可以更好的应用于智能存储等新兴领域。并且本方法制备的阻变存储器的功能层所用原料为果胶，相比于使用重金属粒子掺杂得到功能层，对环境更加友好，且该阻变存储器的开关比高、性能稳定。

技术领域

本发明涉及一种响应温度刺激的阻变存储器的制备方法，属于电子技术以及存储器器件技术领域。

背景技术

随着现代信息技术的快速发展，人类社会已经进入了信息爆炸的时代，尤其是互联网技术的迅猛发展，使得信息量呈现爆发式增长。在传统存储技术无法满足大量信息存储需求的背景下，阻变存储技术受到了越来越多的关注。阻变存储器作为下一代信息存储的最佳候选之一，为存储技术的发展提供了突破局限的新思路。阻变存储器是以非导性材料的电阻在外加电场作用下，在高阻态和低阻态之间实现可逆转换为基础的非易失性存储器。近年来，有关阻变存储器的研究取得了很大的突破，大量的器件具有良好的非易失性，但是不能同时具有三稳态和双稳态特性，功能单一，不能满足日益增长的计算和存储任务。

而且外界刺激的响应性可赋予阻变存储器许多本身并不具备的特性。随着刺激响应性的引入，可丰富调控阻变存储器特性的手段，为了实现阻变存储器的人工调制提供了可能，进而可以更好的应用于智能存储等新兴领域，提供一种响应温度刺激的阻变存储器的制备方法是十分必要的。

发明内容

本发明为了解决现有阻变存储器无法实现外界温度刺激的响应的问题，提供一种响应温度刺激的阻变存储器的制备方法。

本发明的技术方案：

一种响应温度刺激的阻变存储器的制备方法，该方法的操作步骤为：

步骤一，在聚对苯二甲酸乙二醇酯衬底上真空蒸镀铝薄膜；

步骤二，将果胶粉和果胶酶溶解在去离子水中，搅拌均匀，获得果胶水溶液；

步骤三，将步骤二获得的果胶水溶液滴涂在铝薄膜上形成功能层；

步骤四，在功能层上覆盖铝电极矩阵，形成上电极，获得响应温度刺激的阻变存储器。

优选的：所述的步骤一真空蒸镀条件为1×10^-4Pa～3×10^-4Pa，沉积速率为3～5埃/秒。

优选的：所述的步骤二中果胶粉、果胶酶和去离子水的质量比为(2～4):(0.1～0.3):10。

最优选的：所述的果胶粉为3mg，果胶酶为0.3mg，去离子水为10ml。

优选的：所述的步骤三果胶水溶液滴涂在铝薄膜上形成薄膜具体操作过程为：

步骤1，将果胶水溶液滴加在铝薄膜上形成薄膜；然后，室温下静置干燥至薄膜含水量为70％-80％；

步骤2，重复步骤1的操作4-5次，最后，室温下静置干燥至8小时以上至薄膜含水量低于3.5％，形成功能层。

优选的：所述的步骤四在功能层上利用掩膜法真空蒸镀制备铝电极矩阵。

最优选的：所述的掩膜法真空蒸镀制备铝电极矩阵的条件为真空度为1×10^-4Pa～3×10^-4Pa，沉积速率为3～5埃/秒，掩膜板的孔径为100μm，孔间距为150μm。

最优选的：所述的铝电极矩阵由直径为100μm，厚度为200nm以上的圆形铝电极构成。