[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201910936710.8 | 申请日： | 2019-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN111640732A | 公开（公告）日： | 2020-09-08 |
| 发明（设计）人： | 詹益旺;黄永泰;游馨;方晓培;童宇诚 | 申请（专利权）人： | 福建省晋华集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 362200 福建省泉州*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体结构及其形成方法。通过在互连结构的第一接触垫的侧边设置第二接触垫，如此，则在制备互连结构时，通过图形化处理以形成第一接触垫并不是孤立的暴露在一较大的空间区域中，而是在第二接触垫的保护下，避免了第一接触垫被过度解析的问题，有利于提高所形成的第一接触垫的图形精度，进而有利于保障所构成的互连结构的电性传输性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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