[发明专利]半导体结构及其形成方法

说明书

本发明提供了一种半导体结构及其形成方法。通过在互连结构的第一接触垫的侧边设置第二接触垫，如此，则在制备互连结构时，通过图形化处理以形成第一接触垫并不是孤立的暴露在一较大的空间区域中，而是在第二接触垫的保护下，避免了第一接触垫被过度解析的问题，有利于提高所形成的第一接触垫的图形精度，进而有利于保障所构成的互连结构的电性传输性能。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种半导体结构及其形成方法。

背景技术

在半导体结构中，一般需要利用互连结构实现半导体器件的电性传输，因此互连结构的电性传输性能至关重要。然而，目前所制备的互连结构中，常常会出现其接触垫的图形变形的现象，从而会进一步导致接触垫与其他电性传输组件之间出现接触不良的问题，进而影响所述互连结构的电性传输性能。

发明内容

本发明的目的在于提供一种半导体结构，以解决现有的半导体结构中其互连结构的电性传输性能较差的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种半导体结构，包括：

衬底，所述衬底上形成有至少一半导体器件和层间介质层，所述层间介质层覆盖所述半导体器件；

互连结构，包括接触插塞和第一接触垫，所述接触插塞贯穿所述层间介质层并延伸至所述半导体器件，所述第一接触垫覆盖所述接触插塞的顶部，并延伸覆盖部分所述层间介质层的顶表面；以及，

第二接触垫，形成在所述层间介质层的顶表面上，并位于所述第一接触垫的侧边。

可选的，所述半导体器件包括形成在所述衬底顶表面上的栅极导电层，所述层间介质层包括覆盖栅极导电层顶表面的遮蔽层；其中，所述接触插塞形成在所述栅极导电层的侧边，所述第一接触垫从所述栅极导电层的侧边横向延伸至所述遮蔽层上。

可选的，所述第二接触垫形成在所述遮蔽层上，并与所述第一接触垫间隔设置。

可选的，所述第一接触垫中覆盖所述遮蔽层的宽度尺寸小于所述第二接触垫的宽度尺寸。

可选的，所述层间介质层还包括覆盖栅极导电层侧壁的隔离侧墙，所述接触插塞形成在所述隔离侧墙远离所述栅极导电层的一侧，所述第一接触垫横向延伸并覆盖与所述接触插塞邻近的隔离侧墙。

可选的，所述层间介质层还包括形成在所述栅极导电层外围的隔离介质层，所述导电插塞贯穿所述隔离介质层。

可选的，所述第一接触垫和所述第二接触垫的材料相同。

可选的，所述第一接触垫和所述第二接触垫均包括第一导电层和形成在所述第一导电层上的第二导电层，并且所述第一接触垫中的第一导电层和所述第二接触垫中的第一导电层的材料相同，所述第一接触垫中的第二导电层和所述第二接触垫中的第二导电层的材料相同。

本发明还提供了另一种半导体结构，包括：

衬底，所述衬底上形成有至少一半导体器件和层间介质层，所述层间介质层覆盖所述半导体器件；

互连结构，包括接触插塞和第一接触垫，所述接触插塞贯穿所述层间介质层并延伸至所述半导体器件，所述第一接触垫覆盖所述接触插塞的顶部，并延伸覆盖部分所述层间介质层的顶表面；以及，

第二接触垫，形成在所述层间介质层的顶表面上，并位于所述第一接触垫的外围；以及，

位于所述第一接触垫和所述第二接触垫之间的凹槽，所述凹槽还向下延伸停止于所述层间介质层中。

可选的，所述半导体结构还包括：

绝缘填充层，填充在所述凹槽中并覆盖所述第一接触垫和所述第二接触垫暴露于所述凹槽的侧壁。

可选的，所述绝缘填充层中形成有空隙。