[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底上形成有至少一半导体器件和层间介质层，所述层间介质层覆盖所述半导体器件；

互连结构，包括接触插塞和第一接触垫，所述接触插塞贯穿所述层间介质层并延伸至所述半导体器件，所述第一接触垫覆盖所述接触插塞的顶部，并延伸覆盖部分所述层间介质层的顶表面；以及，

第二接触垫，形成在所述层间介质层的顶表面上，并位于所述第一接触垫的侧边。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体器件包括形成在所述衬底顶表面上的栅极导电层，所述层间介质层包括覆盖栅极导电层顶表面的遮蔽层；其中，所述接触插塞形成在所述栅极导电层的侧边，所述第一接触垫从所述栅极导电层的侧边横向延伸至所述遮蔽层上。

3.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述第二接触垫形成在所述遮蔽层上，并与所述第一接触垫间隔设置。

4.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述第一接触垫中覆盖所述遮蔽层的宽度尺寸小于所述第二接触垫的宽度尺寸。

5.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述层间介质层还包括覆盖栅极导电层侧壁的隔离侧墙，所述接触插塞形成在所述隔离侧墙远离所述栅极导电层的一侧，所述第一接触垫横向延伸并覆盖与所述接触插塞邻近的隔离侧墙。

6.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述层间介质层还包括形成在所述栅极导电层外围的隔离介质层，所述导电插塞贯穿所述隔离介质层。

7.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一接触垫和所述第二接触垫的材料相同。

8.如权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，所述第一接触垫和所述第二接触垫均包括第一导电层和形成在所述第一导电层上的第二导电层，并且所述第一接触垫中的第一导电层和所述第二接触垫中的第一导电层的材料相同，所述第一接触垫中的第二导电层和所述第二接触垫中的第二导电层的材料相同。

9.一种半导体结构，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底上形成有至少一半导体器件和层间介质层，所述层间介质层覆盖所述半导体器件；

互连结构，包括接触插塞和第一接触垫，所述接触插塞贯穿所述层间介质层并延伸至所述半导体器件，所述第一接触垫覆盖所述接触插塞的顶部，并延伸覆盖部分所述层间介质层的顶表面；以及，

第二接触垫，形成在所述层间介质层的顶表面上，并位于所述第一接触垫的外围；以及，

位于所述第一接触垫和所述第二接触垫之间的凹槽，所述凹槽还向下延伸停止于所述层间介质层中。

10.如权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，还包括：

绝缘填充层，填充在所述凹槽中并覆盖所述第一接触垫和所述第二接触垫暴露于所述凹槽的侧壁。

11.如权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，所述绝缘填充层中形成有空隙。

12.如权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体器件包括形成在所述衬底顶表面上的栅极导电层，所述层间介质层包括覆盖栅极导电层顶表面的遮蔽层；

其中，所述接触插塞形成在所述栅极导电层的侧边，所述第一接触垫从所述栅极导电层的侧边横向延伸至所述遮蔽层上，所述第二接触垫形成在所述遮蔽层上并与所述第一接触垫间隔设置，以及所述凹槽在所述第一接触垫和所述第二接触垫之间向下延伸停止于所述遮蔽层中。