[发明专利]半导体器件及其制作方法有效
| 申请号： | 201910935205.1 | 申请日： | 2019-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN110534499B | 公开（公告）日： | 2021-05-25 |
| 发明（设计）人： | 胡华;薛广杰;曹开玮;李赟 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532;H01L23/552;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件及其制作方法，位于衬底与金属互连结构之间的刻蚀阻挡层包含至少两层子刻蚀阻挡层，其中至少一层所述子刻蚀阻挡层对紫外光的消光系数大于氮化硅对紫外光的消光系数，由此减弱形成金属互连结构时刻蚀或沉积工艺中等离子体产生的紫外光的穿透效应，从而提高器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：衬底、位于衬底上的刻蚀阻挡层以及位于所述刻蚀阻挡层上的金属互连结构，其中，所述刻蚀阻挡层包含至少两层子刻蚀阻挡层，至少一层所述子刻蚀阻挡层对紫外光的消光系数大于氮化硅对紫外光的消光系数。/n
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