[发明专利]半导体器件及其制作方法

说明书

本发明提供了一种半导体器件及其制作方法，位于衬底与金属互连结构之间的刻蚀阻挡层包含至少两层子刻蚀阻挡层，其中至少一层所述子刻蚀阻挡层对紫外光的消光系数大于氮化硅对紫外光的消光系数，由此减弱形成金属互连结构时刻蚀或沉积工艺中等离子体产生的紫外光的穿透效应，从而提高器件的可靠性。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种半导体器件及其制作方法。

背景技术

半导体器件形成后，通过金属互连将器件连接并接引出来，相邻的金属层或金属线用介质层分隔开。目前广泛采用铜制程，通过大马士革工艺来制作，然而在工艺过程中广泛使用等离子制程，包括金属沟槽的刻蚀、通孔的刻蚀、介质层的沉积等，不可避免的引入PID(plasma induced damage，等离子体损伤)的问题。

尤其是在器件特征尺寸缩小后，工艺集成度提高，由等离子体引入的栅氧损伤越来越明显，其严重影响着器件的工作性能和使用寿命。

因此，为了解决上述技术问题，有必要提出一种新的半导体器件及其制作方法。

发明内容

基于以上所述的问题，本发明的目的在于提供一种半导体器件及其制作方法，减弱刻蚀或沉积工艺中等离子体产生的紫外光的穿透效应，从而提高器件的可靠性。

为实现上述目的，本发明提供一种半导体器件，包括：衬底、位于衬底上的刻蚀阻挡层以及位于所述刻蚀阻挡层上的金属互连结构，其中，所述刻蚀阻挡层包含至少两层子刻蚀阻挡层，至少一层所述子刻蚀阻挡层对紫外光的消光系数大于氮化硅对紫外光的消光系数。

可选的，在所述半导体器件中，至少一层所述子刻蚀阻挡层的材质包含氮氧化硅。

可选的，在所述半导体器件中，至少一层所述子刻蚀阻挡层的材质包含富硅氧化硅。

可选的，在所述半导体器件中，所述刻蚀阻挡层包含两层子刻蚀阻挡层，第一子刻蚀阻挡层的材质包含氮氧化硅，第二子刻蚀阻挡层的材质包含氮化硅。

可选的，在所述半导体器件中，所述第一子刻蚀阻挡层靠近所述衬底，所述第二子刻蚀阻挡层远离所述衬底。

可选的，在所述半导体器件中，所述半导体器件还包含：MOS晶体管，位于所述衬底与所述刻蚀阻挡层之间。

相应的，本发明还提供一种半导体器件的制作方法，包括：

提供一衬底；

形成刻蚀阻挡层在所述衬底上，所述刻蚀阻挡层包含至少两层子刻蚀阻挡层，至少一层所述子刻蚀阻挡层对紫外光的消光系数大于氮化硅对紫外光的消光系数；

形成金属互连结构在所述刻蚀阻挡层上。

可选的，在所述半导体器件的制作方法中，至少一层所述子刻蚀阻挡层的材质包含氮氧化硅。

可选的，在所述半导体器件的制作方法中，至少一层所述子刻蚀阻挡层的材质包含富硅氧化硅。

可选的，在所述半导体器件的制作方法中，所述刻蚀阻挡层包含两层子刻蚀阻挡层，第一子刻蚀阻挡层的材质包含氮氧化硅，第二子刻蚀阻挡层的材质包含氮化硅。

与现有技术相比，本发明提供的半导体器件及其制作方法中，位于衬底与金属互连结构之间的刻蚀阻挡层包含至少两层子刻蚀阻挡层，其中至少一层所述子刻蚀阻挡层对紫外光的消光系数大于氮化硅对紫外光的消光系数，由此减弱形成金属互连结构时刻蚀或沉积工艺中等离子体产生的紫外光的穿透效应，从而提高器件的可靠性。

附图说明

图1为一半导体器件的结构示意图。

图2为本发明一实施例所提供的半导体器件的制作方法的流程图。