[发明专利]半导体器件及其制作方法有效
| 申请号： | 201910935205.1 | 申请日： | 2019-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN110534499B | 公开（公告）日： | 2021-05-25 |
| 发明（设计）人： | 胡华;薛广杰;曹开玮;李赟 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532;H01L23/552;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制作方法 | ||
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：衬底、位于衬底上的刻蚀阻挡层以及位于所述刻蚀阻挡层上的金属互连结构，其中，所述刻蚀阻挡层包含至少两层子刻蚀阻挡层，至少一层所述子刻蚀阻挡层对紫外光的消光系数大于氮化硅对紫外光的消光系数，靠近所述衬底的至少一层所述子刻蚀阻挡层的材质包含氮氧化硅，远离所述衬底的至少一层所述子刻蚀阻挡层的材质包含氮化硅。
2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，至少一层所述子刻蚀阻挡层的材质包含富硅氧化硅。
3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述刻蚀阻挡层包含两层子刻蚀阻挡层，第一子刻蚀阻挡层的材质包含氮氧化硅，第二子刻蚀阻挡层的材质包含氮化硅。
4.如权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述第一子刻蚀阻挡层靠近所述衬底，所述第二子刻蚀阻挡层远离所述衬底。
5.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包含：MOS晶体管，位于所述衬底与所述刻蚀阻挡层之间。
6.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：
提供一衬底；
形成刻蚀阻挡层在所述衬底上，所述刻蚀阻挡层包含至少两层子刻蚀阻挡层，至少一层所述子刻蚀阻挡层对紫外光的消光系数大于氮化硅对紫外光的消光系数，靠近所述衬底的至少一层所述子刻蚀阻挡层的材质包含氮氧化硅，远离所述衬底的至少一层所述子刻蚀阻挡层的材质包含氮化硅；
形成金属互连结构在所述刻蚀阻挡层上。
7.如权利要求6所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，至少一层所述子刻蚀阻挡层的材质包含富硅氧化硅。
8.如权利要求6所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述刻蚀阻挡层包含两层子刻蚀阻挡层，第一子刻蚀阻挡层的材质包含氮氧化硅，第二子刻蚀阻挡层的材质包含氮化硅。
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