[发明专利]半导体结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201910931762.6 | 申请日： | 2019-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN112086364B | 公开（公告）日： | 2023-01-10 |
| 发明（设计）人： | 施信益;王茂盈;吴鸿谟 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L23/48 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 浦彩华;姚开丽 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体结构及其制造方法。半导体结构的制造方法包括以下步骤。在导线之上形成介电层。于介电层之上形成光阻层。图案化光阻层，以形成遮罩特征与开口，开口是被遮罩特征所定义。开口具有底部与顶部，顶部连通底部，且顶部比底部宽。以遮罩特征作为蚀刻遮罩蚀刻介电层，以在介电层中形成通孔孔洞。在通孔孔洞中填入导电材料，以形成导电通孔。通过使用上述的制造方法，通孔密度可以被改善。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
