[发明专利]半导体结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包含：

在导线之上形成介电层；

在所述介电层之上形成光阻层；

图案化所述光阻层，以形成遮罩特征与开口，所述开口是被所述遮罩特征所定义，其中所述开口具有底部与顶部，所述顶部连通所述底部，且所述顶部比所述底部宽；

以所述遮罩特征作为蚀刻遮罩蚀刻所述介电层，以在所述介电层中形成通孔孔洞；以及

在所述通孔孔洞中填入导电材料，以形成导电通孔，其中所述导电通孔包含底部、顶部及位于所述底部与所述顶部之间的渐缩部，所述导电通孔的所述渐缩部的宽度变化大于所述导电通孔的所述底部与所述导电通孔的所述顶部的宽度变化，所述导电通孔的所述顶部具有从所述导电通孔的所述渐缩部的倾斜侧壁向上连续延伸且垂直所述导电通孔的最低表面的侧壁。

2.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，还包含：

加深所述通孔孔洞，使得凹陷形成于所述导线之中。

3.如权利要求2所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，还包含：

在所述凹陷中填入所述导电材料。

4.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，通过使用光罩来图案化所述光阻层，所述光罩具有透光部、半透光部与遮光部，所述半透光部位于所述透光部与所述遮光部之间。

5.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述遮罩特征具有外部与内部，所述内部比所述外部宽，且所述内部接触于所述介电层。

6.一种半导体结构，其特征在于，包含：

半导体元件；

导线，位于所述半导体元件之上；

介电层，位于所述导线之上；以及

重分布层，包含导电结构与导电通孔，所述导电结构位于所述介电层上方，所述导电通孔从所述导电结构向下延伸并穿过所述介电层，其中所述导电通孔包含底部、顶部与渐缩部，所述渐缩部位于所述底部与所述顶部之间，其中所述渐缩部的宽度变化大于所述底部与所述顶部的宽度变化，且所述导电通孔的所述顶部具有从所述导电通孔的所述渐缩部的倾斜侧壁向上连续延伸且垂直所述导电通孔的最低表面的侧壁。

7.如权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，所述渐缩部从所述顶部往所述底部渐缩。

8.如权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，所述底部接触于所述导线。

9.如权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，还包含：

保护层，位于所述重分布层之上。

10.如权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，所述导电通孔的底表面低于所述导线的顶表面。