[发明专利]半导体结构及其制造方法

说明书

本发明公开了一种半导体结构及其制造方法。半导体结构的制造方法包括以下步骤。在导线之上形成介电层。于介电层之上形成光阻层。图案化光阻层，以形成遮罩特征与开口，开口是被遮罩特征所定义。开口具有底部与顶部，顶部连通底部，且顶部比底部宽。以遮罩特征作为蚀刻遮罩蚀刻介电层，以在介电层中形成通孔孔洞。在通孔孔洞中填入导电材料，以形成导电通孔。通过使用上述的制造方法，通孔密度可以被改善。

技术领域

本发明是有关于一种半导体结构与一种形成半导体结构的方法。更特别地，本发明是关于形成半导体结构的重分布层(redistribution layer；RDL)。

背景技术

随着电子工业的快速发展，集成电路(integrated circuits；ICs)的发展是为了实现高性能与微型化。集成电路材料与设计的技术进步已经产生了几代的集成电路，其中每一代的集成电路都具有比上一代的集成电路更小与更复杂的电路。因此，用于集成电路的重分布层(redistribution layer；RDL)的通孔孔洞也被缩小。

发明内容

本发明的目的在于提供一种半导体结构的制造方法，该方法可以改善通孔的密度。

本发明提供一种用于改善通孔密度的半导体结构及其制造方法。半导体结构的制造方法包括以下步骤。在导线之上形成介电层。在介电层之上形成光阻层。图案化光阻层，以形成遮罩特征与开口，开口是被遮罩特征所定义。开口具有底部与顶部，顶部连通底部，且顶部比底部宽。以遮罩特征作为蚀刻遮罩蚀刻介电层，以在介电层中形成通孔孔洞。在通孔孔洞中填入导电材料，以形成导电通孔。

依据本发明的一些实施方式中，半导体结构的制造方法还包括加深通孔孔洞，使得凹陷形成于导线之中。

依据本发明的一些实施方式，半导体结构的制造方法还包括在凹陷中填入导电材料。

依据本发明的一些实施方式，通过使用光罩来图案化光阻层，光罩具有透光部、半透光部与遮光部，半透光部位于透光部与遮光部之间。

依据本发明的一些实施方式，遮罩特征具有外部与内部，内部比外部宽，且内部接触于介电层。

依据本发明的一些实施方式，一种半导体结构包括半导体元件、导线、介电层以及重分布层。导线在半导体元件之上。介电层在导线之上。重分布层包括导电结构与导电通孔。导电结构位于介电层上方。导电通孔从导电结构向下延伸并穿过介电层。导电通孔包括底部、顶部与渐缩部。渐缩部位于底部与顶部之间。渐缩部的宽度变化大于底部与顶部的宽度变化。

依据本发明的一些实施方式，渐缩部从顶部往底部渐缩。

依据本发明的一些实施方式，底部接触于导线。

依据本发明的一些实施方式，半导体结构还包括保护层，位于重分布层之上。

依据本发明的一些实施方式，导电通孔的底表面低于导线的顶表面。

综上所述，本发明提供一种半导体结构及其制造方法。导电通孔包括底部、渐缩部与顶部。因为渐缩部与顶部比底部为宽，故渐缩部与顶部可以为随后的金属沉积工艺提供更多的空间，此也可以减轻例如金属沉积的外伸所导致的不利影响。再者，因为底部窄于渐缩部与顶部，故可具有改善通孔密度的功效。

应当了解前面的一般说明和以下的详细说明都仅是示例，并且旨在提供对本发明的进一步解释。

附图说明

本发明的各个方面可从以下实施方式的详细说明及随附的附图中得到进一步的理解。

图1是根据本发明的一些实施方式绘示的半导体结构的剖面示意图。

图2、图3以及图5至图14是根据本发明的一些实施方式在各个阶段形成半导体结构的方法的剖面图。