[发明专利]半导体结构、器件和生成IC布局图的方法有效
| 申请号： | 201910921894.0 | 申请日： | 2019-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN110970434B | 公开（公告）日： | 2022-06-07 |
| 发明（设计）人： | 彭士玮;曾健庭;林威呈 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/092 | 分类号： | H01L27/092;H01L29/423;H01L27/02;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 半导体结构包括第一导电段、第二导电段、第三导电段、第四导电段和第一栅极。第一导电段和第二导电段位于第一导电层中并且被配置为第一类型的第一晶体管的第一端子和第二端子。第三导电段和第四导电段位于第二导电层中，该第二导电层堆叠在第一导电层上方并且被配置为第二类型的第二晶体管的第一端子和第二端子。第一栅极在第一方向上布置在第一导电段和第三导电段与第二导电段和第四导电段之间。该栅极被配置为第一晶体管的控制端子和第二晶体管的控制端子，第一导电段沿第一方向与第三导电段偏移，并且第二导电段沿第一方向与第四导电段偏移。本发明的实施例还涉及半导体器件和生成IC布局图的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 器件 生成 ic 布局 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
