[发明专利]半导体结构、器件和生成IC布局图的方法

说明书

半导体结构包括第一导电段、第二导电段、第三导电段、第四导电段和第一栅极。第一导电段和第二导电段位于第一导电层中并且被配置为第一类型的第一晶体管的第一端子和第二端子。第三导电段和第四导电段位于第二导电层中，该第二导电层堆叠在第一导电层上方并且被配置为第二类型的第二晶体管的第一端子和第二端子。第一栅极在第一方向上布置在第一导电段和第三导电段与第二导电段和第四导电段之间。该栅极被配置为第一晶体管的控制端子和第二晶体管的控制端子，第一导电段沿第一方向与第三导电段偏移，并且第二导电段沿第一方向与第四导电段偏移。本发明的实施例还涉及半导体器件和生成IC布局图的方法。

技术领域

本发明的实施例涉及半导体结构、器件和生成IC布局图的方法。

背景技术

集成电路(IC)通常被设计为实现各种器件，包括例如晶体管、电阻器、电容器等。通常使用导电迹线的连接来设计这些器件以形成电路。密度越来越高的IC带来了速度、功能和成本方面的益处，但是却使设计和制造问题越来越困难。

发明内容

本发明的一些实施例提供了一种半导体结构，包括：第一导电段和第二导电段，位于第一导电层中并且被配置为第一类型的第一晶体管的第一端子和第二端子；第三导电段和第四导电段，位于堆叠在所述第一导电层上方的第二导电层中，并且被配置为第二类型的第二晶体管的第一端子和第二端子；以及第一栅极，在第一方向上布置在所述第一导电段和所述第三导电段与所述第二导电段和所述第四导电段之间，所述第一栅极被配置为所述第一晶体管的控制端子和所述第二晶体管的控制端子，其中，所述第一导电段沿所述第一方向与所述第三导电段偏移，和所述第二导电段沿所述第一方向与所述第四导电段偏移。

本发明的另一实施例提供了半导体器件，包括：第一对互补晶体管，包括：第一栅极，在第一方向上延伸并且由所述第一对互补晶体管共享；第一导电段和第二导电段，布置在第一导电层中；以及第三导电段和第四导电段，布置在所述第一导电层上面的第二导电层中，其中所述第一导电段沿所述第一方向偏移所述第三导电段并且位于所述第一栅极的第一侧上，以及第二导电段，沿所述第一方向偏移所述第四导电段并且位于所述栅极的第二侧上；以及第二对互补晶体管，包括所述第二导电段、所述第三导电段和在所述第一方向上延伸的第二栅极，其中，所述第二导电段耦合到所述第三导电段。

本发明的又一实施例提供了一种生成IC布局图的方法，包括：将所述第一导电层的第一导电部分和第二导电部分布置为第一类型的第一晶体管的第一源极/漏极和第二源极/漏极，所述第一晶体管包括栅极；将所述第一导电层上面的第二导电层的第三导电段和第四导电段布置为第二类型的第二晶体管的第一源极/漏极和第二源极/漏极，所述第二晶体管包括所述栅极，使所述栅极的第一侧上的所述第一导电部分和所述第三导电部分部分地重叠；使所述栅极的第二侧上的所述第二导电部分和所述第四导电部分部分地重叠；以及生成包括所述第一导电部分、所述第二导电部分、所述第三导电部分和所述第四导电部分的所述IC布局图。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本发明的各个方面。应该指出，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。

图1是根据本发明的一些实施例的对应于场效应晶体管(FET)的布局结构的立体图的示意图。

图2A至图2D是根据本发明的各个实施例的对应于图1的FET器件的布局结构的各个立体图的示意图。

图3A是根据本发明的一些实施例的对应于包括图2A的实施例的器件的布局结构的立体图的示意图。

图3B是根据本发明的一些实施例的对应于图3A中示出的器件的布局图。

图4A是根据本发明的一些实施例的IC的电路图。

图4B示出了根据本发明的一些实施例的对应于图4A的IC的布局图。