[发明专利]半导体结构、器件和生成IC布局图的方法

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

第一导电段和第二导电段，位于第一导电层中并且被配置为第一类型的第一晶体管的第一端子和第二端子；

第三导电段和第四导电段，位于堆叠在所述第一导电层上方的第二导电层中，并且被配置为第二类型的第二晶体管的第一端子和第二端子；以及

第一栅极，在第一方向上布置在所述第一导电段和所述第三导电段与所述第二导电段和所述第四导电段之间，所述第一栅极被配置为所述第一晶体管的控制端子和所述第二晶体管的控制端子，

其中，

所述第一导电段沿所述第一方向与所述第三导电段偏移，和

所述第二导电段沿所述第一方向与所述第四导电段偏移。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第三导电段部分地位于所述第一导电段上面，并且所述第四导电段部分地位于所述第二导电段上面。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括：

导电迹线，在与所述第一方向不同的第二方向上布置在所述第一栅极之上，

其中，所述第一导电段通过导电迹线耦合到所述第四导电段。

4.根据权利要求3所述的半导体结构，还包括：

第一通孔，将所述第一导电段耦合到所述导电迹线；以及

第二通孔，将所述第四导电段耦合到所述导电迹线，

其中，所述第一通孔的高度与所述第二通孔的高度不同。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括：

第二栅极，布置在所述第一方向上，其中，所述第二导电段和所述第四导电段布置在所述第一栅极和所述第二栅极之间；

第五导电段，相对于所述第二栅极与所述第二导电段相对布置在所述第一导电层中；

第六导电段，相对于所述第二栅极与所述第四导电段相对布置在所述第二导电层中；

导电局部互连件，将所述第五导电段耦合到所述第六导电段；以及

第一导电迹线和第二导电迹线，在与所述第一方向不同的第二方向上布置在所述第一栅极和所述第二栅极之上；

其中，所述第一导电段通过所述第一导电迹线、所述第五导电段、所述导电局部互连件、所述第六导电段和所述第二导电迹线耦合到所述第四导电段。

6.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括：

第二栅极，布置在所述第一方向上，其中，所述第二导电段和所述第四导电段布置在所述第一栅极和所述第二栅极之间；以及

第一导电迹线和第二导电迹线，在与所述第一方向不同的第二方向上布置在所述第一栅极和所述第二栅极之上，

其中，所述第一导电段通过所述第一导电迹线、所述第二栅极和所述第二导电迹线耦合到所述第四导电段。

7.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括：

第二栅极，布置在所述第一方向上，其中，所述第二导电段和所述第四导电段布置在所述第一栅极和所述第二栅极之间；

第一导电迹线和第二导电迹线，在与所述第一方向不同的第二方向上布置在所述第一栅极和所述第二栅极之上；以及

第三导电迹线，在所述第一方向上布置在所述第一导电迹线和所述第二导电迹线之上，

其中，所述第一导电段通过所述第一导电迹线、所述第三导电迹线和所述第二导电迹线耦合到所述第四导电段。

8.一种半导体器件，包括：

第一对互补晶体管，包括：

第一栅极，在第一方向上延伸并且由所述第一对互补晶体管共享；

第一导电段和第二导电段，布置在第一导电层中；以及

第三导电段和第四导电段，布置在所述第一导电层上面的第二导电层中，

其中

所述第一导电段沿所述第一方向偏移所述第三导电段并且位于所述第一栅极的第一侧上，以及

所述第二导电段沿所述第一方向偏移所述第四导电段并且位于所述第一栅极的第二侧上；以及

第二对互补晶体管，包括所述第二导电段、所述第三导电段和在所述第一方向上延伸的第二栅极，

其中，所述第二导电段耦合到所述第三导电段。