[发明专利]包括电容器的半导体器件有效

专利信息
申请号: 201910921850.8 申请日: 2019-09-27
公开(公告)号: CN110970405B 公开(公告)日: 2021-10-26
发明(设计)人: 陈纮扬;林天声;邱奕正;林宏洲;陈益民;吴国铭;钟久华 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L23/64 分类号: H01L23/64;H01L27/06
代理公司: 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 代理人: 陈蒙
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 本公开涉及包括电容器的半导体器件。一种用于功率半导体器件的电容器结构,包括:半导体衬底;隔离绝缘层,该隔离绝缘层具有环形形状并且包括外周边和限定开口区域的内周边的;第一电极,该第一电极被设置在隔离绝缘层上;电介质层,该电介质层被设置在第一电极上;以及第二电极,该第二电极被设置在电介质层上。
搜索关键词: 包括 电容器 半导体器件
【主权项】:
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