[发明专利]包括电容器的半导体器件

权利要求书

1.一种用于功率半导体器件的电容器结构，所述电容器结构包括：

半导体衬底；

隔离绝缘层，所述隔离绝缘层具有环形形状并且包括外周边和限定开口区域的内周边；

第一电极，所述第一电极被设置在所述隔离绝缘层上；

电介质层，所述电介质层被设置在所述第一电极上；以及

第二电极，所述第二电极被设置在所述电介质层上；

其中，所述第一电极和所述第二电极中的每一个都具有围绕所述开口区域的环形形状；

并且其中，所述半导体衬底包括：

第一第一导电类型阱，所述第一第一导电类型阱被设置在所述隔离绝缘层下方；

第一第二导电类型阱，所述第一第二导电类型阱围绕所述第一第一导电类型阱；以及

第二第二导电类型阱，所述第二第二导电类型阱从所述第一第二导电类型阱延伸并且被设置在位于所述隔离绝缘层下方的所述第一第一导电类型阱中。

2.根据权利要求1所述的电容器结构，其中，所述隔离绝缘层的所述环形形状的所述外周边是圆形的。

3.根据权利要求1所述的电容器结构，其中，所述隔离绝缘层的所述环形形状的所述外周边是椭圆形的。

4.根据权利要求1所述的电容器结构，其中，所述隔离绝缘层的所述环形形状的所述外周边具有拥有圆角的矩形形状。

5.根据权利要求1所述的电容器结构，其中，由所述内周边限定的所述开口的尺寸处于由所述外周边限定的区域的尺寸的0.01％至10％的范围内。

6.根据权利要求1所述的电容器结构，其中，所述隔离绝缘层是LOCOS。

7.根据权利要求1所述的电容器结构，其中，所述第一电极和所述第二电极是由多晶硅形成的。

8.根据权利要求7所述的电容器结构，其中：

所述多晶硅掺杂有杂质，并且

用于所述第一电极的所述多晶硅的掺杂浓度不同于用于所述第二电极的所述多晶硅的掺杂浓度。

9.根据权利要求1所述的电容器结构，其中，所述第一电极通过重掺杂的第一导电类型区域被电耦合到所述第一第一导电类型阱，所述重掺杂的第一导电类型区域被设置在所述半导体衬底的由所述开口限定的区域中。

10.根据权利要求1所述的电容器结构，其中，所述第一导电类型是n型，并且所述第二导电类型是p型。

11.根据权利要求1所述的电容器结构，还包括：电阻器，所述电阻器被电耦合到所述第一电极和固定电位。

12.根据权利要求11所述的电容器结构，其中，所述电阻器被设置在所述隔离绝缘层上并且具有围绕所述第二电极的螺旋形状。

13.根据权利要求12所述的电容器结构，其中：

所述第一电极和所述第二电极以及所述电阻器是由多晶硅形成的，并且

所述第一电极和所述电阻器的薄层电阻低于所述第二电极的薄层电阻。

14.根据权利要求12所述的电容器结构，其中，所述螺旋形状的匝数是1到10。

15.根据权利要求11所述的电容器结构，其中，所述固定电位是地。

16.根据权利要求15所述的电容器结构，其中，所述第一第二导电类型阱被电耦合到所述地。