[发明专利]包括电容器的半导体器件

说明书

本公开涉及包括电容器的半导体器件。一种用于功率半导体器件的电容器结构，包括：半导体衬底；隔离绝缘层，该隔离绝缘层具有环形形状并且包括外周边和限定开口区域的内周边的；第一电极，该第一电极被设置在隔离绝缘层上；电介质层，该电介质层被设置在第一电极上；以及第二电极，该第二电极被设置在电介质层上。

技术领域

本公开涉及包括电容器的半导体器件。

背景技术

半导体器件包括集成在半导体衬底上的电容器。在半导体器件是高压半导体器件(例如，功率半导体器件)时，与其集成的电容器也应具有高击穿电压(例如，大于约400V)。

发明内容

根据本公开的一个实施例，提供了一种用于功率半导体器件的电容器结构，所述电容器结构包括：半导体衬底；隔离绝缘层，所述隔离绝缘层具有环形形状并且包括外周边和限定开口区域的内周边；第一电极，所述第一电极被设置在所述隔离绝缘层上；电介质层，所述电介质层被设置在所述第一电极上；以及第二电极，所述第二电极被设置在所述电介质层上。

根据本公开的另一实施例，提供了一种功率半导体器件，包括：功率MOS晶体管；以及电容器，所述电容器具有在600V至1000V范围内的击穿电压，其中：所述电容器包括：半导体衬底；隔离绝缘层，所述隔离绝缘层具有环形形状并且包括外周边和限定开口区域的内周边；第一电极，所述第一电极被设置在所述隔离绝缘层上；电介质层，所述电介质层被设置在所述第一电极上；以及第二电极，所述第二电极被设置在所述电介质层上。

根据本公开的又一实施例，提供了一种制造电容器结构的方法，所述方法包括：在半导体衬底中形成阱结构；在所述半导体衬底上形成隔离绝缘层，所述隔离绝缘层具有环形形状并且包括外周边和限定开口区域的内周边；在所述隔离绝缘层上方形成第一电极；在所述第一电极上形成电介质层；以及在所述电介质层上方形成第二电极。

附图说明

当结合附图阅读时，从以下详细描述中可以最好地理解本公开。需要强调的是，根据工业中的标准实践，各种特征未按比例绘制，并且仅用于说明目的。实际上，为了清楚讨论，可以任意增加或减少各种特征的尺寸。

图1A示出了根据本公开的实施例的用于半导体器件的电容器结构的横截面视图。

图1B示出了根据本公开的另一实施例的用于半导体器件的电容器结构的横截面视图。

图2示出了图1A中示出的电容器结构的顶部(平面)视图。

图3A和3B示出了根据本公开的实施例的电容器结构的制造操作的各个阶段之一。

图4A和4B示出了根据本公开的实施例的电容器结构的制造操作的各个阶段之一。

图5A和5B示出了根据本公开的实施例的电容器结构的制造操作的各个阶段之一。

图6A和6B示出了根据本公开的实施例的电容器结构的制造操作的各个阶段之一。

图7A、7B和7C示出了根据本公开的实施例的电容器结构的各种结构。

图8示出了根据本公开的实施例的包括电容器结构的半导体器件的横截面视图。

具体实施方式

应理解，下面的公开内容提供了用于实现本发明的不同特征的许多不同的实施例或示例。下文描述了组件和布置的具体实施例或示例以简化本公开。当然，这些仅仅是示例而不意图是限制性的。例如，元件的尺寸不限于所公开的范围或值，而可以取决于器件的工艺条件和/或期望属性。此外，在下面的说明中，在第二特征上方或之上形成第一特征可以包括以直接接触的方式形成第一特征和第二特征的实施例，并且还可以包括可以在第一特征和第二特征之间形成附加特征以使得第一特征和第二特征可以不直接接触的实施例。为了简单和清楚起见，可以以不同比例任意绘制各种特征。