[发明专利]一种芯片抛光方法

摘要

本发明公开了一种芯片抛光方法，先通过化学抛光和机械抛光的结合方法对芯片进行抛光，通过抛光剂与机械的结合进行粗抛、细抛，有利于降低纯化学抛光的化学剂的使用剂量，同时在机械的抛光作用下与利于增加化学抛光剂与芯片的渗透效率，最后采用硅溶胶溶液和机械的配合进行精抛，添加的硅溶胶有利于在芯片的表面形成保护膜，同时对硅溶胶之间的粘附性能有利于防止由于机械转速增大导致硅溶胶溶液与晶粒之间的机械作用不均匀而导致最后研磨的不均匀性，整个制备过程在现有抛光技术中通过增加抛光工序和抛光剂的选择，一方面有利于提高抛光的均匀性，另一方面减少抛光过程中过多的使用抛光剂导致环境的污染。

主权项

1.一种芯片抛光方法，其特征在于，包括如下步骤：/n粗抛：先将载料盘进行预热，然后将芯片进行固定并停止加热，将载料盘固定在抛光机上修盘环内，在转速120～150r/min，压力10～15N，抛光10～15min，取下芯片清洗后，氮气吹干；/n细抛：将粗磨后的芯片固定在预热的载料盘中，然后将载料盘采用双修盘环进行固定抛光，所述载料盘固定在所述双修盘环的内环上，所述双修盘环的外环固定在抛光机上，通过所述双修盘环的外环转动，带动所述双修盘环内环转动对芯片进行细抛，所述细抛的转速为120～150r/min，压力0.5～4.5N，细抛5～10min，取下芯片清洗后，氮气吹干；/n精抛：将细抛后的芯片，采用细抛同样的固定方式进行固定，然后在转速为80～100r/min，压力0.5～4.5N，精抛4～8min，同时，在精抛的过程中，向抛光盘的表面滴加硅溶胶溶液，滴加速度为0.5～1滴/s，精抛后，取下芯片清洗后，氮气吹干。/n