[发明专利]一种芯片抛光方法

说明书

本发明公开了一种芯片抛光方法，先通过化学抛光和机械抛光的结合方法对芯片进行抛光，通过抛光剂与机械的结合进行粗抛、细抛，有利于降低纯化学抛光的化学剂的使用剂量，同时在机械的抛光作用下与利于增加化学抛光剂与芯片的渗透效率，最后采用硅溶胶溶液和机械的配合进行精抛，添加的硅溶胶有利于在芯片的表面形成保护膜，同时对硅溶胶之间的粘附性能有利于防止由于机械转速增大导致硅溶胶溶液与晶粒之间的机械作用不均匀而导致最后研磨的不均匀性，整个制备过程在现有抛光技术中通过增加抛光工序和抛光剂的选择，一方面有利于提高抛光的均匀性，另一方面减少抛光过程中过多的使用抛光剂导致环境的污染。

技术领域

本发明涉及芯片抛光技术领域，特别是指一种芯片抛光方法。

背景技术

随着半导体制造技术的不断进步，半导体芯片制造厂商和设备供应商面临的制造工艺创新挑战越来越大。为了满足设备的装备加工的要求，外延片在制备成芯片的过程中，必须要经过减薄处理。随着对芯片厚度要求的越来越严苛，芯片减薄工艺成为决定芯片销售的主要因素。

芯片在经过减薄处理后，由于表面应力的残留，芯片易出现翘曲过大的情况，给后续加工带来较大的困难，对芯片表面进行抛光可有效的减少芯片表面损伤层，进而使芯片加工质量得到提高。在芯片抛光方面，多是采用机械抛光或化学抛光方法进行芯片抛光。

申请研究发现，机械抛光存在效率低，且表面均匀性差的问题，而化学抛光方法，由于化学废液的回收难和处理难，导致在生产过程中产生大量的环境污染物，不符合企业绿色生产的标准。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的在于提出一种芯片抛光方法，用于提升抛光均匀性，降低环境污染。

基于上述目的本发明提供的一种芯片抛光方法，包括如下步骤：

粗抛：先将载料盘进行预热，然后将芯片进行固定并停止加热，将载料盘固定在抛光机上修盘环内，在转速120～150r/min，压力10～15N，抛光10～15min，取下芯片清洗后，氮气吹干；

细抛：将粗磨后的芯片固定在预热的载料盘中，然后将载料盘采用双修盘环进行固定抛光，所述载料盘固定在所述双修盘环的内环上，所述双修盘环的外环固定在抛光机上，通过所述双修盘环的外环转动，带动所述双修盘环的内环转动对芯片进行细抛，所述细抛的转速为120～150r/min，压力0.5～4.5N，细抛5～10min，取下芯片清洗后，氮气吹干；

精抛：将细抛后的芯片，采用细抛同样的固定方式进行固定，然后在转速为80～100r/min，压力0.5～4.5N，精抛4～8min，同时，在精抛的过程中，向抛光盘的表面滴加硅溶胶溶液，滴加速度为0.5～1滴/s，精抛后，取下芯片清洗后，氮气吹干。

可选的，所述粗抛和细抛均使用抛光剂，所述抛光剂采用分批添加，添加频率为3～7次/min，添加量为1.5～3.5mL/次。

可选的，所述抛光机与所述修盘环之间铺设有抛光垫，所述抛光垫为毛毡，厚度为1.5～1.8mm。

可选的，所述抛光垫表面开设有若干同心环沟槽，所述同心环沟槽之间贯穿有若干放射状沟槽，所述放射状沟槽的汇集点为所述同心环沟槽的圆心。

可选的，所述双修盘环的内环与外环的半径比为2.5～4:1。

可选的，所述清洗的操作步骤为将芯片先放于丙酮中浸泡2～5min，再放入无水乙醇中浸泡2～5min。

可选的，所述硅溶胶溶液中料液比为1～4:1。