[发明专利]一种芯片抛光方法在审
| 申请号： | 201910918331.6 | 申请日： | 2019-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN110707007A | 公开（公告）日： | 2020-01-17 |
| 发明（设计）人： | 嵇群群;孙永武 | 申请（专利权）人： | 芜湖德锐电子技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306 |
| 代理公司： | 11403 北京风雅颂专利代理有限公司 | 代理人： | 王刚 |
| 地址： | 241000 安徽省芜湖*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 抛光 抛光剂 芯片 硅溶胶溶液 化学抛光 硅溶胶 化学剂 表面形成保护膜 化学抛光剂 晶粒 不均匀性 机械抛光 机械转速 机械作用 抛光工序 抛光过程 抛光技术 抛光作用 粘附性能 制备过程 研磨 不均匀 均匀性 粗抛 精抛 污染 配合 | ||
1.一种芯片抛光方法，其特征在于，包括如下步骤：
粗抛：先将载料盘进行预热，然后将芯片进行固定并停止加热，将载料盘固定在抛光机上修盘环内，在转速120～150r/min，压力10～15N，抛光10～15min，取下芯片清洗后，氮气吹干；
细抛：将粗磨后的芯片固定在预热的载料盘中，然后将载料盘采用双修盘环进行固定抛光，所述载料盘固定在所述双修盘环的内环上，所述双修盘环的外环固定在抛光机上，通过所述双修盘环的外环转动，带动所述双修盘环内环转动对芯片进行细抛，所述细抛的转速为120～150r/min，压力0.5～4.5N，细抛5～10min，取下芯片清洗后，氮气吹干；
精抛：将细抛后的芯片，采用细抛同样的固定方式进行固定，然后在转速为80～100r/min，压力0.5～4.5N，精抛4～8min，同时，在精抛的过程中，向抛光盘的表面滴加硅溶胶溶液，滴加速度为0.5～1滴/s，精抛后，取下芯片清洗后，氮气吹干。
2.根据权利要求1所述的芯片抛光方法，其特征在于，所述粗抛和细抛均使用抛光剂，所述抛光剂采用分批添加，添加频率为3～7次/min，添加量为1.5～3.5mL/次。
3.根据权利要求1所述的芯片抛光方法，其特征在于，所述抛光机与所述修盘环之间铺设有抛光垫，所述抛光垫为毛毡，厚度为1.5～1.8mm。
4.根据权利要求3所述的芯片抛光方法，其特征在于，所述抛光垫表面开设有若干同心环沟槽，所述同心环沟槽之间贯穿有若干放射状沟槽，所述放射状沟槽的汇集点为所述同心环沟槽的圆心。
5.根据权利要求1所述的芯片抛光方法，其特征在于，所述双修盘环的内环与外环的半径比为2.5～4:1。
6.根据权利要求1所述的芯片抛光方法，其特征在于，所述清洗的操作步骤为将芯片先放于丙酮中浸泡2～5min，再放入无水乙醇中浸泡2～5min。
7.根据权利要求1所述的芯片抛光方法，其特征在于，所述硅溶胶溶液中料液比为1～4:1。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
