[发明专利]外延晶片有效

申请号：	201910916681.9	申请日：	2015-07-22
公开（公告）号：	CN110747507B	公开（公告）日：	2021-03-19
发明（设计）人：	西口太郎;玄番润;伊东洋典;畑山智亮;土井秀之	申请（专利权）人：	住友电气工业株式会社
主分类号：	H01L21/02	分类号：	H01L21/02;C30B25/20;C30B25/18;C30B25/10;C30B29/36;C23C16/32
代理公司：	中原信达知识产权代理有限责任公司 11219	代理人：	李兰;孙志湧
地址：	日本大阪***	国省代码：	暂无信息
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摘要：	一种外延晶片，包括：具有第一主表面的碳化硅膜和具有第二主表面的碳化硅衬底。碳化硅衬底的直径不小于100mm，碳化硅膜形成在第二主表面上。在第一主表面中形成有沿第一主表面在一个方向上延伸的凹槽部，其在一个方向上的宽度是其在垂直于该一个方向的方向上的宽度的两倍或更大。凹槽部距第一主表面的最大深度不大于10nm且包括第一凹槽部和连接至第一凹槽部的第二凹槽部。第一凹槽部在一个方向上形成在凹槽部的一个端部中。第二凹槽部在一个方向上从第一凹槽部延伸至与该一个端部相反的另一个端部且距第一主表面的深度小于第一凹槽部的最大深度。第一凹槽部在横截面中具有三角形形状。第二凹槽部包括与第一主表面基本上平行的底表面。
搜索关键词：	外延晶片
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【主权项】：

1.一种外延晶片，包括：/n具有第一主表面的碳化硅膜；以及/n具有第二主表面的碳化硅衬底，/n所述碳化硅衬底的直径不小于100mm，/n所述碳化硅膜被形成在所述第二主表面上，/n在所述第一主表面中形成有凹槽部，所述凹槽部沿所述第一主表面在一个方向上延伸，所述凹槽部在所述一个方向上的宽度是所述凹槽部在垂直于所述一个方向的方向上的宽度的两倍或更大，所述凹槽部距所述第一主表面的最大深度不大于10nm，其中/n所述凹槽部包括第一凹槽部以及连接至所述第一凹槽部的第二凹槽部，/n所述第一凹槽部在所述一个方向上形成在所述凹槽部的一个端部中，并且/n所述第二凹槽部在所述一个方向上从所述第一凹槽部延伸至与所述一个端部相反的另一个端部，并且所述第二凹槽部距所述第一主表面的深度小于所述第一凹槽部的最大深度，/n所述第一凹槽部在横截面中具有三角形形状，并且/n所述第二凹槽部包括与所述第一主表面基本上平行的底表面。/n

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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