[发明专利]外延晶片

说明书

一种外延晶片，包括：具有第一主表面的碳化硅膜和具有第二主表面的碳化硅衬底。碳化硅衬底的直径不小于100mm，碳化硅膜形成在第二主表面上。在第一主表面中形成有沿第一主表面在一个方向上延伸的凹槽部，其在一个方向上的宽度是其在垂直于该一个方向的方向上的宽度的两倍或更大。凹槽部距第一主表面的最大深度不大于10nm且包括第一凹槽部和连接至第一凹槽部的第二凹槽部。第一凹槽部在一个方向上形成在凹槽部的一个端部中。第二凹槽部在一个方向上从第一凹槽部延伸至与该一个端部相反的另一个端部且距第一主表面的深度小于第一凹槽部的最大深度。第一凹槽部在横截面中具有三角形形状。第二凹槽部包括与第一主表面基本上平行的底表面。

本申请是国家申请号为201580041319.1(国际申请号PCT/JP2015/070844，国际申请日2015年7月22日，发明名称“外延晶片及其制造方法”)之申请的分案申请。

技术领域

本公开涉及一种外延晶片以及制造该外延晶片的方法。

背景技术

日本专利公布No.2014-17439(专利文献1)公开了一种用于制造外延晶片的半导体制造装置。

引用列表

专利文献

PTD 1：日本专利公布No.2014-17439

发明内容

根据本公开的外延晶片包括具有第一主表面的碳化硅膜。在碳化硅膜的第一主表面中形成凹槽部。凹槽部沿第一主表面在一个方向上延伸。而且，凹槽部在该一个方向上的宽度是凹槽部在垂直于该一个方向的方向上的宽度的两倍或更大。而且，凹槽部距第一主表面的最大深度不大于10nm。

根据本公开的制造外延晶片的方法包括如下步骤：制备具有第二主表面的碳化硅衬底；以及在第二主表面上外延生长碳化硅膜。外延生长碳化硅膜的步骤包括如下步骤：采用具有C/Si比小于1的源材料气体在第二主表面上外延生长第一膜；使用包括(i)具有C/Si比小于1的源材料气体以及(ii)氢气的混合气体重新构建第一膜的表面；以及使用具有C/Si比小于1的源材料气体在第一膜的重新构建的表面上外延生长第二膜。

附图说明

图1是示出本公开的外延晶片的一部分的横截面视图。

图2是示出本公开的外延晶片的一部分的平面视图。

图3是示出本公开的外延晶片的一部分的平面视图。

图4是示意性示出用于制造本公开的外延晶片的方法的流程图。

图5是示出外延生长装置的构造的示意图。

图6是示出沿图5中的线段VI-VI截取的截面的示意图。

具体实施方式

[本公开的实施例的描述]

首先列出并描述本公开的实施例。

[1]根据本公开的外延晶片100包括具有第一主表面101的碳化硅膜120。凹槽部20形成在第一主表面101中，凹槽部20沿第一主表面101在一个方向上延伸，在该一个方向上的凹槽部20的宽度是在垂直于该一个方向的方向上的凹槽部20的宽度的两倍或更大，凹槽部20距第一主表面101的最大深度不大于10nm。

以下，将凹槽部20在该一个方向上的宽度称为“第二宽度82”，将凹槽部20在垂直于该一个方向的方向上的宽度称为“第三宽度83”，且将凹槽部20距第一主表面101的最大深度称为“第二深度72”。