[发明专利]外延晶片

权利要求书

1.一种外延晶片，包括：

具有第一主表面的碳化硅膜；以及

具有第二主表面的碳化硅衬底，

所述碳化硅衬底的直径不小于100mm，

所述碳化硅膜被形成在所述第二主表面上，

在所述第一主表面中形成有凹槽部，所述凹槽部沿所述第一主表面在一个方向上延伸，所述凹槽部在所述一个方向上的宽度是所述凹槽部在垂直于所述一个方向的方向上的宽度的两倍或更大，所述凹槽部距所述第一主表面的最大深度不大于10nm，其中

所述凹槽部包括第一凹槽部以及连接至所述第一凹槽部的第二凹槽部，

所述第一凹槽部在所述一个方向上形成在所述凹槽部的一个端部中，并且

所述第二凹槽部在所述一个方向上从所述第一凹槽部延伸至与所述一个端部相反的另一个端部，并且所述第二凹槽部距所述第一主表面的深度小于所述第一凹槽部的最大深度，

所述第一凹槽部在横截面中具有三角形形状，并且

所述第二凹槽部包括与所述第一主表面基本上平行的底表面。

2.根据权利要求1所述的外延晶片，其中

所述第二凹槽部距所述第一主表面的深度不大于3nm。

3.根据权利要求1或2所述的外延晶片，其中

所述碳化硅膜具有不小于10μm且不大于50μm的厚度。

4.根据权利要求1至3中的任何一个所述的外延晶片，其中

所述第二主表面具有相对于(0001)面不大于±4°的偏离角，并且

所述偏离角的偏离方向在相对于11-20方向不大于±5°的范围内，或者在相对于01-10方向不大于±5°的范围内。

5.根据权利要求4所述的外延晶片，其中

所述凹槽部从所述碳化硅膜中的穿透位错在所述偏离角的所述偏离方向上延伸。

6.根据权利要求5所述的外延晶片，其中

所述第一凹槽部形成在所述穿透位错上。

7.根据权利要求5或6所述的外延晶片，其中

所述穿透位错包括穿透螺旋位错、穿透边缘位错或复合位错，

在所述复合位错中，混合有所述穿透螺旋位错和所述穿透边缘位错。

8.根据权利要求4-7中的任何一项所述的外延晶片，其中

所述凹槽部在所述偏离方向上的宽度不小于15μm且不大于50μm。