[发明专利]半导体器件和形成半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201910913267.2 | 申请日： | 2019-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN110970489B | 公开（公告）日： | 2023-05-23 |
| 发明（设计）人： | 谭伟钧;翁翊轩;程德恩;林咏惠;林玮耿;李威养;粘志鸿 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 陈蒙 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及半导体器件和形成半导体器件的方法。一种方法包括：形成从衬底延伸的第一鳍，在第一鳍上方并且沿着第一鳍的侧壁形成第一栅极堆叠，沿着第一栅极堆叠的侧壁形成第一间隔件，第一间隔件包括第一碳氧化硅组合物，沿着第一间隔件的侧壁形成第二间隔件，第二间隔件包括第二碳氧化硅组合物，沿着第二间隔件的侧壁形成第三间隔件，第三间隔件包括氮化硅，以及在第一鳍中并且与第三间隔件相邻形成第一外延源极/漏极区域。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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