[发明专利]半导体器件和形成半导体器件的方法

权利要求书

1.一种形成半导体器件的方法，包括：

在衬底上方形成第一鳍和第二鳍；

在所述第一鳍上方形成第一虚设栅极结构并且在所述第二鳍上方形成第二虚设栅极结构；

在所述第一鳍上、所述第二鳍上、所述第一虚设栅极结构上以及所述第二虚设栅极结构上沉积第一层碳氧化硅材料；

通过所述第一层碳氧化硅材料将杂质注入到所述第一鳍和所述第二鳍中；

在注入杂质之后，在所述第一层碳氧化硅材料上方沉积第二层碳氧化硅材料；

在沉积所述第二层碳氧化硅材料之后，对所述第一鳍和所述第二鳍执行第一湿法清洁工艺；

在所述第二鳍和所述第二虚设栅极结构上方形成第一掩模；

凹陷与所述第一虚设栅极结构相邻的所述第一鳍，以在所述第一鳍中形成第一凹槽；

在凹陷所述第一鳍之后，对所述第一鳍和所述第二鳍执行第二湿法清洁工艺；

在所述第一鳍和所述第一虚设栅极结构上方形成第二掩模；

凹陷与所述第二虚设栅极结构相邻的所述第二鳍，以在所述第二鳍中形成第二凹槽；以及

执行外延工艺以同时形成所述第一凹槽中的第一外延源极/漏极区域和所述第二凹槽中的第二外延源极/漏极区域，

其中，所述第一外延源极/漏极区域形成第一晶体管的组件，所述第二外延源极/漏极区域形成第二晶体管的组件，并且其中，所述第一外延源极/漏极区域和所述第二外延源极/漏极区域具有相同的导电类型。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：对所述第一层碳氧化硅材料执行各向异性蚀刻工艺以在所述第一虚设栅极结构上形成第一间隔件，并且对所述第二层碳氧化硅材料执行各向异性蚀刻工艺以在所述第二虚设栅极结构上形成第二间隔件。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一层碳氧化硅材料具有与所述第二层碳氧化硅材料相比更高的杂质浓度。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述湿法清洁工艺包括使用硫酸和过氧化氢的经加热的混合物。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，硫酸和过氧化氢的所述混合物是以2：1和5：1之间的摩尔比进行混合的。

6.根据权利要求4所述的方法，其中，所述经加热的混合物处于80℃和180℃之间的温度。

7.根据权利要求1所述的方法，还包括：在所述第二层碳氧化硅材料上方形成侧壁间隔件，所述侧壁间隔件包括与所述碳氧化硅材料不同的电介质材料。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，至少两个第一外延源极/漏极区域被合并在一起。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一凹槽具有第一深度，并且所述第二凹槽具有与所述第一深度不同的第二深度。

10.一种形成半导体器件的方法，包括：

图案化衬底以形成多个第一鳍和多个第二鳍；

在所述多个第一鳍上形成多个第一虚设栅极结构；

在所述多个第二鳍上形成多个第二虚设栅极结构；

在所述多个第一虚设栅极结构上形成多个第一间隔件结构；

在所述多个第二虚设栅极结构上形成多个第二间隔件结构，其中，所述多个第一间隔件结构和所述多个第二间隔件结构包括低k电介质材料；

在所述多个第一鳍中形成第一凹槽，包括：

执行第一湿法除渣工艺；并且

执行第一各向异性蚀刻工艺以在所述多个第一鳍中形成第一凹槽；

在所述多个第一鳍中形成所述第一凹槽之后，在所述多个第二鳍中形成第二凹槽，包括：

执行第二湿法除渣工艺；并且

执行第二各向异性蚀刻工艺以在所述多个第二鳍中形成第二凹槽；以及

在所述第一凹槽中外延生长第一源极/漏极结构并且在所述第二凹槽中外延生长第二源极/漏极结构，其中，所述第一源极/漏极结构和所述第二源极/漏极结构具有相同的导电类型。