[发明专利]半导体器件和形成半导体器件的方法

说明书

本公开涉及半导体器件和形成半导体器件的方法。一种方法包括：形成从衬底延伸的第一鳍，在第一鳍上方并且沿着第一鳍的侧壁形成第一栅极堆叠，沿着第一栅极堆叠的侧壁形成第一间隔件，第一间隔件包括第一碳氧化硅组合物，沿着第一间隔件的侧壁形成第二间隔件，第二间隔件包括第二碳氧化硅组合物，沿着第二间隔件的侧壁形成第三间隔件，第三间隔件包括氮化硅，以及在第一鳍中并且与第三间隔件相邻形成第一外延源极/漏极区域。

技术领域

本公开总体涉及半导体器件和形成半导体器件的方法。

背景技术

半导体器件用于各种电子应用，例如，个人计算机、蜂窝电话、数码相机、以及其他电子设备。半导体器件通常通过以下步骤来制造：在半导体衬底上方顺序沉积绝缘或电介质材料层、导电材料层、以及半导体材料层，并使用光刻来图案化各种材料层以在其上形成电路组件和元件。

半导体工业通过不断减小最小特征大小来持续改善各种电子组件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度，这允许更多组件被集成在给定区域中。然而，随着最小特征大小的减小，出现了应该解决的其他问题。

发明内容

根据本公开的一个实施例，提供了一种形成半导体器件的方法，包括：在衬底上方形成第一鳍和第二鳍；在所述第一鳍上方形成第一虚设栅极结构并且在所述第二鳍上方形成第二虚设栅极结构；在所述第一鳍上、所述第二鳍上、所述第一虚设栅极结构上以及所述第二虚设栅极结构上沉积第一层碳氧化硅材料；通过所述第一层碳氧化硅材料将杂质注入到所述第一鳍和所述第二鳍中；在注入杂质之后，在所述第一层碳氧化硅材料上方沉积第二层碳氧化硅材料；在沉积所述第二层碳氧化硅材料之后，对所述第一鳍和所述第二鳍执行湿法清洁工艺；在所述第二鳍和所述第二虚设栅极结构上方形成第一掩模；凹陷与所述第一虚设栅极结构相邻的所述第一鳍，以在所述第一鳍中形成第一凹槽；在凹陷所述第一鳍之后，对所述第一鳍和所述第二鳍执行所述湿法清洁工艺；在所述第一鳍和所述第一虚设栅极结构上方形成第二掩模；凹陷与所述第二虚设栅极结构相邻的所述第二鳍，以在所述第二鳍中形成第二凹槽；以及执行外延工艺以同时形成所述第一凹槽中的第一外延源极/漏极区域和所述第二凹槽中的第二外延源极/漏极区域。

根据本公开的另一实施例，提供了一种形成半导体器件的方法，包括：图案化衬底以形成多个第一鳍和多个第二鳍；在所述多个第一鳍上形成多个第一虚设栅极结构；在所述多个第二鳍上形成多个第二虚设栅极结构；在所述多个第一虚设栅极结构上形成多个第一间隔件结构；在所述多个第二虚设栅极结构上形成多个第二间隔件结构，其中，所述多个第一间隔件结构和所述多个第二间隔件结构包括低k电介质材料；在所述多个第一鳍中形成第一凹槽，包括：执行第一湿法除渣工艺；并且执行第一各向异性蚀刻工艺以在所述多个第一鳍中形成第一凹槽；在所述多个第一鳍中形成所述第一凹槽之后，在所述多个第二鳍中形成第二凹槽，包括：执行第二湿法除渣工艺；并且执行第二各向异性蚀刻工艺以在所述多个第二鳍中形成第二凹槽；以及在所述第一凹槽中外延生长第一源极/漏极结构并且在所述第二凹槽中外延生长第二源极/漏极结构。

根据本公开的又一实施例，提供了一种形成半导体器件的方法，包括：形成从衬底延伸的第一鳍；在所述第一鳍上方并且沿着所述第一鳍的侧壁形成第一栅极堆叠；沿着所述第一栅极堆叠的侧壁形成第一间隔件，所述第一间隔件包括第一碳氧化硅组合物；沿着所述第一间隔件的侧壁形成第二间隔件，所述第二间隔件包括第二碳氧化硅组合物；沿着所述第二间隔件的侧壁形成第三间隔件，所述第三间隔件包括氮化硅；以及在所述第一鳍中并且与所述第三间隔件相邻形成第一外延源极/漏极区域。

附图说明

在结合附图阅读下面的具体实施方式时，可以从下面的具体实施方式中最佳地理解本公开的各个方面。应当注意，根据行业的标准做法，各种特征不是按比例绘制的。事实上，为了讨论的清楚起见，各种特征的尺寸可能被任意增大或减小。

图1示出根据一些实施例的三维视图中的FinFET的实例。