[发明专利]半导体存储装置及其I/O电路在审
| 申请号： | 201910910980.1 | 申请日： | 2014-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN110853685A | 公开（公告）日： | 2020-02-28 |
| 发明（设计）人： | 石井雄一郎 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C5/14 | 分类号： | G11C5/14;G11C7/12;G11C11/419 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体存储装置包括：SRAM存储单元，其由驱动晶体管、传输晶体管以及负载晶体管组成；I/O电路，其连接与所述存储单元连接的位线；以及工作模式控制电路，用于在恢复待机模式与正常工作模式之间切换所述I/O电路的工作模式。其中，所述I/O电路包括：写入驱动器，用于向所述位线写数据；读出放大器，用于从所述位线读数据；第一开关，插在所述位线与所述写入驱动器之间；第二开关，插在所述位线与所述读出放大器之间；预充电电路，用于对所述位线进行预充电；以及控制电路，用于根据来自所述工作模式控制电路的信号控制所述第一开关、所述第二开关以及所述预充电电路。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 及其 电路 | ||
【主权项】：
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