[发明专利]晶体管在审
| 申请号： | 201910906107.5 | 申请日： | 2019-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN110970504A | 公开（公告）日： | 2020-04-07 |
| 发明（设计）人： | 金志昀;徐梓翔;李彦儒;李启弘 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/165;H01L27/088;H01L21/336 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 提供的晶体管包括源极/漏极区，且源极/漏极区包括第一层，其第一平均硅含量介于约80％至100％之间；第二层，其第二平均硅含量介于0至约90％之间，第二平均硅含量比第一平均硅含量低至少7％，且第二层位于第一层上并与第一层相邻；第三层，其第三平均硅含量介于约80％至100％之间；以及第四层，其第四平均硅含量介于0至约90％之间，第四平均硅含量比第三平均硅含量低至少7％，且第四层位于第三层上并与第三层相邻。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 | ||
【主权项】：
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