[发明专利]晶体管

说明书

提供的晶体管包括源极/漏极区，且源极/漏极区包括第一层，其第一平均硅含量介于约80％至100％之间；第二层，其第二平均硅含量介于0至约90％之间，第二平均硅含量比第一平均硅含量低至少7％，且第二层位于第一层上并与第一层相邻；第三层，其第三平均硅含量介于约80％至100％之间；以及第四层，其第四平均硅含量介于0至约90％之间，第四平均硅含量比第三平均硅含量低至少7％，且第四层位于第三层上并与第三层相邻。

技术领域

本发明实施例一般关于半导体的形成方法，更特别关于含有外延的的装置与其形成方法。

背景技术

采用鳍状场效晶体管装置取代平面晶体管为半导体产业最近的发展方向。在鳍状场效晶体管中，晶体管通道形成于大高宽比的结构(通常称作鳍状物)中。栅极不只覆盖鳍状物的顶部，亦覆盖鳍状物的侧部。此设置比平面晶体提供更多优点，比如通道反转的控制更佳且相同效能的可信度更高。

由于鳍状场效晶体管的三维特性，鳍状场效晶体管所用的形成制程通常比平面晶体管所用的形成制程复杂。在一些例子中，外延成长(一般为选择性外延成长)可用于形成多种结构于鳍状场效晶体管结构中。此外，应力工程可用于进一步增进鳍状场效晶体管的效能。在应力工程的应用中，外延方法成长的材料组成选择，可施加所需种类与等级的应力至鳍状场效晶体管的通道上。

发明内容

本发明一实施例提供的晶体管，包括源极/漏极区，且源极/漏极区包括：第一层，其第一平均硅含量介于约80％至100％之间；第二层，其第二平均硅含量介于0至约90％之间，第二平均硅含量比第一平均硅含量低至少7％，且第二层位于第一层上并与第一层相邻；第三层，其第三平均硅含量介于约80％至100％之间；以及第四层，其第四平均硅含量介于0至约90％之间，第四平均硅含量比第三平均硅含量低至少7％，且第四层位于第三层上并与第三层相邻。

本发明一实施例提供的含鳍状场效晶体管的集成电路，且该鳍状场效晶体管的源极/漏极区包括：第一层，其第一平均锗含量介于0至约20％之间；第二层，其第二平均锗含量介于约10％至100％之间，第二平均锗含量比第一平均锗含量高至少7％，且第二层位于第一层上并与第一层相邻；第三层，其第三平均锗含量介于0至约20％之间；以及第四层，其第四平均锗含量介于约10％至100％之间，第四平均锗含量比第三平均锗含量高至少7％，且第四层位于第三层上并与第三层相邻。

本发明一实施例提供的采用外延成长制程形成半导体材料的方法，包括：成长第一层，其第一平均锗含量介于0至约20％之间；成长第二层于第一层上并与第一层相邻，其第二平均锗含量介于约10％至100％之间，且第二平均锗含量比第一平均锗含量高至少7％；成长第三层，其第三平均锗含量介于0至约20％之间；成长第四层于第三层上并与第三层相邻，其第四平均锗含量介于约10％至100％之间，且第四平均锗含量比第三平均锗含量高至少7％。

附图说明

图1是一例中，两个鳍状场效晶体管的选定元件在鳍状场效晶体管形成制程的一阶段的简化透视图。

图2A至2E是一例中，两个鳍状场效晶体管装置在鳍状场效晶体管形成制程的选定阶段的简化剖视图。

图3是一例中，两个鳍状场效晶体管结构的选定元件在鳍状场效晶体管形成制程的源极/漏极凹陷阶段之后的简化透视图。

图4是一实施例中，p型鳍状场效晶体管的含有两个晶种层的源极/漏极结构的剖视图。

图5是一实施例中，p型鳍状场效晶体管的含有三个晶种层的源极/漏极结构的剖视图。

图6是一实施例中，p型鳍状场效晶体管的源极/漏极结构的简化剖视图，其标号对应图7的表格。

图7是图6标示的结构所对应的尺寸范围。

图8是一实施例中，外延成长p型鳍状场效晶体管的源极/漏极区的方法。