[发明专利]非易失性存储器装置及其操作方法在审
| 申请号： | 201910885015.3 | 申请日： | 2019-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN111326185A | 公开（公告）日： | 2020-06-23 |
| 发明（设计）人： | 权俊秀 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C7/12 | 分类号： | G11C7/12;G11C8/08;G11C7/10 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 刘灿强;张川绪 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了一种非易失性存储器装置及其操作方法。一种非易失性存储器装置的操作方法包括：通过第一DQ线从外部装置接收表示第一数据比特的第一DQ信号，并通过第二DQ线从外部装置接收表示第二数据比特的第二DQ信号；以及对与第一DQ线对应的第一存储器单元和与第二DQ线对应的第二存储器单元进行编程，使得第一存储器单元基于第一DQ信号具有擦除状态和第一编程状态中的任何一种，第二存储器单元基于第二DQ信号具有擦除状态和第二编程状态中的任何一种。与第二编程状态对应的阈值电压分布的下限值高于与第一编程状态对应的阈值电压分布的下限值。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 装置 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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