[发明专利]非易失性存储器装置及其操作方法

权利要求书

1.一种非易失性存储器装置的操作方法，所述操作方法包括：

通过第一DQ线从外部装置接收表示第一数据比特的第一DQ信号，并通过第二DQ线从外部装置接收表示第二数据比特的第二DQ信号；以及

对与第一DQ线对应的第一存储器单元和与第二DQ线对应的第二存储器单元进行编程，使得第一存储器单元基于第一DQ信号具有擦除状态和第一编程状态中的任何一种并且第二存储器单元基于第二DQ信号具有擦除状态和第二编程状态中的任何一种，

其中，与第二编程状态对应的阈值电压分布的下限值高于与第一编程状态对应的阈值电压分布的下限值。

2.根据权利要求1所述的操作方法，其中，第一存储器单元和第二存储器单元连接到同一条字线。

3.根据权利要求2所述的操作方法，其中，第一存储器单元和第二存储器单元中的每个存储1比特数据。

4.根据权利要求3所述的操作方法，其中，针对第一存储器单元和第二存储器单元中的每个的擦除状态表示针对两个存储器单元的相同数据状态，针对第一存储器单元的第一编程状态和针对第二存储器单元的第二编程状态二者表示针对两个存储器单元的相同数据状态。

5.根据权利要求1所述的操作方法，其中，编程的步骤包括：

当表示第一数据比特的第一DQ信号具有第一值时，将与第一存储器单元对应的第一页缓冲器设置为与擦除状态对应的值，当表示第一数据比特的第一DQ信号具有第二值时，将第一页缓冲器设置为与针对第一DQ线的第一DQ标识符对应的值；

当表示第二数据比特的第二DQ信号具有第一值时，将与第二存储器单元对应的第二页缓冲器设置为与擦除状态对应的值，当表示第二数据比特的第二DQ信号具有第二值时，将第二页缓冲器设置为与针对第二DQ线的第二DQ标识符对应的值，其中，第一DQ标识符具有与第二DQ标识符不同的值；以及

分别基于设置的第一页缓冲器和设置的第二页缓冲器，来对第一存储器单元和第二存储器单元进行编程。

6.根据权利要求5所述的操作方法，其中，第一页缓冲器连接到与第一存储器单元连接的第一位线，第二页缓冲器连接到与第二存储器单元连接的第二位线。

7.根据权利要求1所述的操作方法，还包括：

将与第一DQ线对应的第一存储器单元编程为具有第一编程状态；以及

将与第二DQ线对应的第二存储器单元编程为具有第二编程状态，

其中，第一编程状态和第二编程状态具有非重叠的阈值电压分布，以及

其中，针对第一存储器单元的第一编程状态和针对第二存储器单元的第二编程状态二者表示针对两个存储器单元的相同数据状态。

8.根据权利要求1所述的操作方法，其中，编程的步骤包括：

当表示第一数据比特的第一DQ信号具有第一值时，将与第一存储器单元对应的第一页缓冲器设置为与第一值对应的值和与第一编程方式对应的值，当表示第一数据比特的第一DQ信号具有第二值时，将第一页缓冲器设置为与第二值对应的值和与第一编程方式对应的值；

当表示第二数据比特的第二DQ信号具有第一值时，将与第二存储器单元对应的第二页缓冲器设置为与第一值对应的值和与第二编程方式对应的值，当表示第二数据比特的第二DQ信号具有第二值时，将第二页缓冲器设置为与第二值对应的值和与第二编程方式对应的值；以及

分别基于设置的第一页缓冲器和设置的第二页缓冲器，来对第一存储器单元和第二存储器单元进行编程。

9.根据权利要求8所述的操作方法，其中，第一编程方式指示每单元存储n个比特的编程方式，第二编程方式指示每单元存储m个比特的编程方式，其中，n是等于或大于1的自然数，且m是大于n的自然数。

10.根据权利要求9所述的操作方法，其中，第一页缓冲器包括至少n+1个数据锁存器，第二页缓冲器包括至少m+1个数据锁存器。