[发明专利]一种等离子体处理装置在审
| 申请号： | 201910880951.5 | 申请日： | 2019-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN112530775A | 公开（公告）日： | 2021-03-19 |
| 发明（设计）人： | 吴磊;梁洁;涂乐义 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 潘颖 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种等离子体处理装置，位于所述等离子体处理装置的反应腔内包括：相对设置的气体喷淋头和静电吸盘；以及，环绕所述气体喷淋头设置的上接地环，所述上接地环沿环形方向分割为多个子接地区；其中，每一所述子接地区各自电连接一位于所述反应腔外的阻抗可调装置。由上述内容可知，本发明提供的技术方案，将上接地环沿环形方向分割为多个子接地区，且将每一子接地区各自电连接一阻抗可调装置，通过对阻抗调节装置的阻抗进行调节，以达到调节子接地区的接地阻抗的目的；进而，通过优化不同子接地区的接地阻抗实现刻蚀工艺不对称性的补偿，最终使得等离子体处理装置达到刻蚀均匀性高的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 等离子体 处理 装置 | ||
【主权项】：
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