[发明专利]一种等离子体处理装置

说明书

本发明公开了一种等离子体处理装置，位于所述等离子体处理装置的反应腔内包括：相对设置的气体喷淋头和静电吸盘；以及，环绕所述气体喷淋头设置的上接地环，所述上接地环沿环形方向分割为多个子接地区；其中，每一所述子接地区各自电连接一位于所述反应腔外的阻抗可调装置。由上述内容可知，本发明提供的技术方案，将上接地环沿环形方向分割为多个子接地区，且将每一子接地区各自电连接一阻抗可调装置，通过对阻抗调节装置的阻抗进行调节，以达到调节子接地区的接地阻抗的目的；进而，通过优化不同子接地区的接地阻抗实现刻蚀工艺不对称性的补偿，最终使得等离子体处理装置达到刻蚀均匀性高的目的。

技术领域

本发明涉及等离子体刻蚀技术领域，更为具体地说，涉及一种等离子体处理装置。

背景技术

在半导体器件的制造过程中，为了在半导体晶片的结构层上形成预先设定的图案，大多采用等离子体处理装置来进行制作；具体的，以抗蚀剂作为掩模设置于结构层上，而后将其放入等离子体处理装置中，利用等离子体处理装置产生的等离子体对未被掩膜覆盖的区域进行刻蚀，最终制作完成具有预设图案的结构层。现有的等离子体处理装置，由于存在有元件结构(如基片传输通道)不对称等因素，进而能够导致刻蚀不均匀的情况出现，最终对产品性能和良率产生很大影响。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种等离子体处理装置，有效解决现有技术存在的问题，使得等离子体处理装置达到刻蚀均匀性高的目的。

为实现上述目的，本发明提供的技术方案如下：

一种等离子体处理装置，位于所述等离子体处理装置的反应腔内包括：

相对设置的气体喷淋头和静电吸盘；

以及，环绕所述气体喷淋头设置的上接地环，所述上接地环沿环形方向分割为多个子接地区；

其中，每一所述子接地区各自电连接一位于所述反应腔外的阻抗可调装置。

可选的，所述阻抗可调装置为可变电容调节装置。

可选的，所述可变电容调节装置包括固定极板和可动极板，其中，所述子接地区电连接所述固定极板。

可选的，所述固定极板与所述可动极板相对设置方向，与所述气体喷淋头和所述静电吸盘相对设置方向垂直。

可选的，所述可变电容调节装置包括与所述可动极板相连的传动装置；

其中，所述固定极板与所述可动极板之间间距固定，所述传动装置带动所述可动极板在垂直所述固定极板和所述可动极板相对方向上移动。

可选的，所述等离子体处理装置还包括固定于所述反应腔外的防护罩，其中，所述固定极板与所述可动极板位于所述防护罩内。

可选的，所述传动装置为马达传动装置。

可选的，所述传动装置为气动传动装置。

相较于现有技术，本发明提供的技术方案至少具有以下优点：

本发明提供了一种等离子体处理装置，位于所述等离子体处理装置的反应腔内包括：相对设置的气体喷淋头和静电吸盘；以及，环绕所述气体喷淋头设置的上接地环，所述上接地环沿环形方向分割为多个子接地区；其中，每一所述子接地区各自电连接一位于所述反应腔外的阻抗可调装置。由上述内容可知，本发明提供的技术方案，将上接地环沿环形方向分割为多个子接地区，且将每一子接地区各自电连接一阻抗可调装置，通过对阻抗调节装置的阻抗进行调节，以达到调节子接地区的接地阻抗的目的；进而，通过优化不同子接地区的接地阻抗实现刻蚀工艺不对称性的补偿，最终使得等离子体处理装置达到刻蚀均匀性高的目的。

附图说明