[发明专利]一种真空器件用的耐高温的互作用电路零部件的加工方法有效
| 申请号： | 201910880131.6 | 申请日： | 2019-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN110484938B | 公开（公告）日： | 2022-03-04 |
| 发明（设计）人： | 李含雁;蔡军;冯进军 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十二研究所 |
| 主分类号： | C25D1/00 | 分类号： | C25D1/00;C25D3/38;H01P11/00 |
| 代理公司： | 北京正理专利代理有限公司 11257 | 代理人： | 邹欢 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种真空器件用的耐高温的零部件的加工方法，包括如下步骤：在无氧铜基底上涂覆光刻胶，经曝光、显影，得具有光刻胶图形的无氧铜基底；在所述具有光刻胶图形的无氧铜基底上微电铸一层铜，其中，微电铸的条件包括：微电铸的电铸液中，铜离子含量为18‑25g/L，硫酸含量为170‑220g/L，氯离子含量为50‑70mg/L；去除微电铸后得到的结构中的光刻胶，得所述真空器件用的耐高温的零部件。该方法解决了现有技术中无能加工微米量级的太赫兹零部件的问题。且该方法加工的零部件可以和其他零部件进行高温焊接，扩大了所述方法在太赫兹真空电子器件应用的范围。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 真空 器件 耐高温 作用 电路 零部件 加工 方法 | ||
【主权项】：
1.一种真空器件用的耐高温的零部件的加工方法，其特征在于，包括如下步骤：/n在无氧铜基底上涂覆光刻胶，经曝光、显影，得具有光刻胶图形的无氧铜基底；/n在所述具有光刻胶图形的无氧铜基底上微电铸一层铜，其中，微电铸的条件包括：微电铸的电铸液中，铜离子含量为18-25g/L，硫酸含量为170-220g/L，氯离子含量为50-70mg/L；/n去除微电铸后得到的结构中的光刻胶，得所述真空器件用的耐高温的零部件。/n
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