[发明专利]一种真空器件用的耐高温的互作用电路零部件的加工方法有效
| 申请号： | 201910880131.6 | 申请日： | 2019-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN110484938B | 公开（公告）日： | 2022-03-04 |
| 发明（设计）人： | 李含雁;蔡军;冯进军 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十二研究所 |
| 主分类号： | C25D1/00 | 分类号： | C25D1/00;C25D3/38;H01P11/00 |
| 代理公司： | 北京正理专利代理有限公司 11257 | 代理人： | 邹欢 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 真空 器件 耐高温 作用 电路 零部件 加工 方法 | ||
1.一种真空器件用的耐高温的零部件的加工方法，其特征在于，包括如下步骤：
在无氧铜基底上涂覆光刻胶，经曝光、显影，得具有光刻胶图形的无氧铜基底；
在所述曝光前，还包括前烘的步骤，所述前烘的温度为95-130℃，时间为6-20小时；
在所述曝光后、显影前，还包括后烘的步骤，所述后烘的温度为50-95℃，时间为0.5-4小时；
在所述具有光刻胶图形的无氧铜基底上微电铸一层铜，其中，微电铸的条件包括：微电铸的电铸液中，铜离子含量为18-25g/L，硫酸含量为170-220g/L，氯离子含量为50-70mg/L；
去除微电铸后得到的结构中的光刻胶，得所述真空器件用的耐高温的零部件；
其中，所述无氧铜基底为圆柱形，厚度为5-10mm，直径为3英寸或4英寸，并且在无氧铜基底上涂覆的光刻胶的厚度为0.1-1000μm；
所述微电铸的温度为20-40℃，阳极电流密度0.5-1.5A/dm2，微电铸的频率为500Hz-5KHz。
2.根据权利要求1所述的加工方法，其特征在于，所述无氧铜基底表面粗糙度Ra为2nm-50nm。
3.根据权利要求1所述的加工方法，其特征在于，在去除微电铸后得到的结构中的光刻胶的步骤前，还包括对微电铸的铜层表面进行研磨抛光的步骤。
4.根据权利要求3所述的加工方法，其特征在于，经研磨抛光后，所述铜层表面粗糙度Ra为2nm-50nm。
5.根据权利要求1所述的加工方法，其特征在于，所述零部件为电子和电磁场互作用的电路。
6.根据权利要求5所述的加工方法，其特征在于，所述电子和电磁场互作用的电路为折叠波导。
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