[发明专利]一种GaN基PIN二极管器件结构及其制备方法

摘要

本发明为一种GaN基PIN二极管器件结构及其制备方法。该二极管器件结构沿着外延生长方向依次包括：衬底、缓冲层、N‑型重掺杂半导体传输层；所述的N‑型重掺杂半导体传输层上分布有N‑型本征层，所述的N‑型本征层上生长有P‑型重掺杂半导体传输层，P‑型重掺杂半导体传输层顶部外缘环状部分为N‑型插入层，为在P‑型重掺杂半导体传输层的材质上注入N型离子而得；所述的N‑型插入层的外缘上生长有环状的绝缘层；随后依次为电流扩展层、P‑型欧姆电极，N型欧姆电极位于暴露的N‑型重掺杂半导体传输层之上。本发明使边缘载流子浓度有效降低，实现更均匀电流扩展，同时不影响反向击穿电压。

主权项

1.一种GaN基PIN二极管器件结构，其特征为该二极管器件结构沿着外延生长方向依次包括：衬底、缓冲层、N-型重掺杂半导体传输层；/n所述的N-型重掺杂半导体传输层上分布有N-型本征层，所述的N-型本征层的投影面积为N-型重掺杂半导体传输层的30%~60%；/n所述的N-型本征层上生长有P-型重掺杂半导体传输层，P-型重掺杂半导体传输层顶部外缘环状部分为N-型插入层，所述的N-型插入层的投影面积为P-型重掺杂半导体传输层面积的40%~60%；/n所述的N-型插入层的厚度为10nm~100nm，为在P-型重掺杂半导体传输层的材质上注入N型离子而得，所述的N型离子为硅离子，注入的量为10¹⁶cm^-3~10¹⁹ cm^-3；/n所述的N-型插入层的外缘上生长有环状的绝缘层，所述的绝缘层的投影面积为N-型插入层的40%~60%；/n所述的电流扩展层在绝缘层以及暴露的P-型重掺杂半导体传输层、N-型插入层部分之上；/nP-型欧姆电极位于电流扩展层的上表面，其投影面积为电流扩展层的10%~30%；/n所述的N-型欧姆电极位于暴露的N-型重掺杂半导体传输层上，其投影面积为N-型重掺杂半导体传输层的30%~50%。/n