[发明专利]破坏试验装置和碎片回收方法在审
| 申请号： | 201910869125.0 | 申请日： | 2019-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN110970316A | 公开（公告）日： | 2020-04-07 |
| 发明（设计）人： | 松崎荣;野村祐太朗 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪思科 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/67;H01L21/677 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 乔婉;于靖帅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供破坏试验装置和碎片回收方法。破坏试验装置具有：芯片破坏单元，其能够将芯片破坏；和碎片回收单元，其配设在芯片破坏单元的下方，在正面上具有对被芯片破坏单元破坏的芯片的碎片进行保持的碎片保持面，芯片破坏单元按照使要被破坏的芯片的破坏起点面对碎片回收单元的碎片保持面的方式将芯片破坏。碎片回收单元的碎片保持面可以沿着水平面。芯片破坏单元可以具有芯片夹持单元和移动单元，芯片夹持单元具有：第一芯片支承部，其具有沿着铅垂方向的第一面；和第二芯片支承部，其具有与第一面面对的沿着铅垂方向的第二面，芯片夹持单元对弯曲成U字状的芯片进行夹持，移动单元使第一芯片支承部和第二芯片支承部向相互接近的方向相对移动。 | ||
| 搜索关键词： | 破坏 试验装置 碎片 回收 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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