[发明专利]破坏试验装置和碎片回收方法在审
申请号: | 201910869125.0 | 申请日: | 2019-09-16 |
公开(公告)号: | CN110970316A | 公开(公告)日: | 2020-04-07 |
发明(设计)人: | 松崎荣;野村祐太朗 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L21/67;H01L21/677 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 乔婉;于靖帅 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 破坏 试验装置 碎片 回收 方法 | ||
1.一种破坏试验装置,其特征在于,
该破坏试验装置具有:
芯片破坏单元,其能够将芯片破坏;以及
碎片回收单元,其配设在该芯片破坏单元的下方,在正面上具有对被芯片破坏单元破坏的该芯片的碎片进行保持的碎片保持面,
该芯片破坏单元按照使要被破坏的芯片的破坏起点面对该碎片回收单元的该碎片保持面的方式将该芯片破坏。
2.根据权利要求1所述的破坏试验装置,其特征在于,
该碎片回收单元的该碎片保持面沿着水平面。
3.根据权利要求1或2所述的破坏试验装置,其特征在于,
该芯片破坏单元具有:
芯片夹持单元,其能够对弯曲成U字状的芯片进行夹持,该芯片夹持单元具有第一芯片支承部和第二芯片支承部,该第一芯片支承部具有沿着铅垂方向的第一面,该第二芯片支承部具有与该第一面面对的沿着铅垂方向的第二面;以及
移动单元,其使该第一芯片支承部和该第二芯片支承部向相互接近的方向相对移动。
4.根据权利要求1至3中的任意一项所述的破坏试验装置,其特征在于,
在该碎片回收单元的该碎片保持面上层叠有多个粘接片,
该多个粘接片能够一个一个地剥离。
5.一种碎片回收方法,对通过将芯片破坏而生成的碎片进行回收,其特征在于,
该碎片回收方法具有如下的步骤:
碎片回收单元准备步骤,准备在正面上具有碎片保持面的碎片回收单元;
破坏步骤,在该碎片回收单元的上方将芯片破坏;以及
回收步骤,通过该破坏步骤而被破坏的芯片的碎片落下而附着于该碎片回收单元的碎片保持面上,从而对碎片进行回收。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造