[发明专利]破坏试验装置和碎片回收方法

说明书

提供破坏试验装置和碎片回收方法。破坏试验装置具有：芯片破坏单元，其能够将芯片破坏；和碎片回收单元，其配设在芯片破坏单元的下方，在正面上具有对被芯片破坏单元破坏的芯片的碎片进行保持的碎片保持面，芯片破坏单元按照使要被破坏的芯片的破坏起点面对碎片回收单元的碎片保持面的方式将芯片破坏。碎片回收单元的碎片保持面可以沿着水平面。芯片破坏单元可以具有芯片夹持单元和移动单元，芯片夹持单元具有：第一芯片支承部，其具有沿着铅垂方向的第一面；和第二芯片支承部，其具有与第一面面对的沿着铅垂方向的第二面，芯片夹持单元对弯曲成U字状的芯片进行夹持，移动单元使第一芯片支承部和第二芯片支承部向相互接近的方向相对移动。

技术领域

本发明涉及在将芯片破坏而对该芯片的性质进行解析时所使用的破坏试验装置以及对破坏后的芯片的碎片进行回收的碎片回收方法。

背景技术

搭载有器件的芯片是对由半导体材料等形成的晶片进行分割而形成的。首先，在晶片的正面上设定相互交叉的多条分割预定线，在由该分割预定线划分的区域内分别形成有IC(Integrated Circuit：集成电路)、LSI(Large-Scale Integrated circuit：大规模集成电路)等器件。并且，当沿着该分割预定线对该晶片进行分割时，形成具有器件的各个芯片。

近年来，搭载有所形成的芯片的电子设备等的小型化的倾向显著，对于芯片本身，小型化或薄型化的需求也在提高。因此，为了形成薄型的芯片，有时在将晶片分割之前对晶片的背面侧进行磨削而使晶片薄化。

另外，当对所形成的芯片施加较大的冲击时，有时在该芯片上产生裂纹或碎裂等损伤从而器件的功能丧失。例如在所形成的芯片的抗弯强度较小的情况下，存在容易在该芯片上产生损伤的趋势。

芯片的抗弯强度例如根据通过将晶片薄化时所实施的磨削而形成在背面侧的凹凸等的形状、薄化后的晶片的厚度、将晶片分割时产生在芯片的外周缘的缺损或裂纹的形成状态等而发生变化。另外，芯片的抗弯强度根据器件的图案的形状、构成器件的部件的材质等而发生变化。

因此，为了制造抗弯强度高的芯片，通过各种加工条件对晶片进行加工而试制芯片，并对试制的各种芯片的抗弯强度进行评价。并且，根据评价的结果，选定更优选的晶片的加工条件。对芯片的抗弯强度进行评价的方法中例如有SEMI(Semiconductor Equipmentand Materials International：国际半导体产业协会)标准G86-0303所限定的3点弯曲(3-Point Bending)法。

在3点弯曲法中，在对板状的测量对象物的抗弯强度进行测量时，将两个圆柱状的支承体放倒而相互平行地排列，按照相对于该支承体不固定的方式将该测量对象物载置于该支承体的侧面上。然后，将圆柱状的压头与该两个支承体平行地配置在该两个支承体之间的该测量对象物的上方。然后，通过该压头从上方按压该测量对象物而将其破坏，将此时施加至该测量对象物的负载作为该测量对象物的抗弯强度而进行评价(参照专利文献1)。

另外，当明确了芯片如何被逐渐破坏或破坏进展的过程及细节时，有利于求出能够制造抗弯强度高且不容易被破坏的芯片的加工条件。对于通过3点弯曲法进行芯片的破坏的过程，目前进行了大量的解析，其细节也变得明确。

专利文献1：日本特开2014-222714号公报

近年来，制造厚度为30μm以下的极薄的芯片。当为了对该极薄的芯片的抗弯强度进行评价而想要实施基于3点弯曲法的测量时，在测量时即使利用压头对芯片进行按压，芯片也只是发生挠曲而无法将芯片破坏。因此，无法测量该芯片的抗弯强度。因此，期望开发出即使是极薄的芯片也能够将其破坏的方法。若能够通过特定的方法将极薄的芯片破坏，则能够对芯片的强度进行评价。