[发明专利]晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201910866406.0 | 申请日： | 2019-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN112490126B | 公开（公告）日： | 2023-03-31 |
| 发明（设计）人： | 李相遇;崔基雄;金成基 | 申请（专利权）人： | 夏泰鑫半导体（青岛）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3115 | 分类号： | H01L21/3115;H01L21/311;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人： | 李艳霞;唐芳芳 |
| 地址： | 266000 山东省青岛市黄岛区*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种晶体管的制备方法，其包括如下步骤：提供一基板，并在所述基板上形成栅极结构；在所述基板上形成覆盖所述栅极结构的绝缘层，所述绝缘层的材质为氧化硅；对所述绝缘层进行惰性气体离子注入并对惰性离子注入后的绝缘层进行湿法蚀刻以去除部分的绝缘层；以及对所述绝缘层进行干法蚀刻以去除部分的绝缘层。本发明还提供上述方法制备得到的晶体管。所述晶体管的制备方法通过对湿法蚀刻前的绝缘层进行惰性气体离子注入，蚀刻后得到的绝缘层会具有均一的膜厚，进而提升晶体管的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于夏泰鑫半导体（青岛）有限公司，未经夏泰鑫半导体（青岛）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910866406.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：服务方法、装置及系统
- 下一篇：电池容量更新方法及装置、电子装置以及存储介质
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
