[发明专利]晶体管及其制备方法

说明书

一种晶体管的制备方法，其包括如下步骤：提供一基板，并在所述基板上形成栅极结构；在所述基板上形成覆盖所述栅极结构的绝缘层，所述绝缘层的材质为氧化硅；对所述绝缘层进行惰性气体离子注入并对惰性离子注入后的绝缘层进行湿法蚀刻以去除部分的绝缘层；以及对所述绝缘层进行干法蚀刻以去除部分的绝缘层。本发明还提供上述方法制备得到的晶体管。所述晶体管的制备方法通过对湿法蚀刻前的绝缘层进行惰性气体离子注入，蚀刻后得到的绝缘层会具有均一的膜厚，进而提升晶体管的性能。

技术领域

本发明涉及一种晶体管及其制备方法。

背景技术

晶体管是半导体领域的一种应用十分广泛的元件。现有的一种晶体管的制备方法包括如下步骤：在基板上形成栅极，然后在基板上形成完全覆盖所述栅极的绝缘层；接着对绝缘层进行湿法蚀刻。绝缘层通常为无机氧化物材料，然而湿法蚀刻绝缘层的过程中，绝缘层的蚀刻速度较快，蚀刻后容易形成不均一的厚度，进而导致影响晶体管的性能，例如晶体管的阈值电压的均匀性降低。

发明内容

鉴于此，有必要提供一种晶体管的制备方法，其可有效解决上述问题。

一种晶体管的制备方法，其包括如下步骤：

提供一基板，并在所述基板上形成栅极结构；

在所述基板上形成覆盖所述栅极结构的绝缘层，所述绝缘层的材质为氧化硅；

对所述绝缘层进行惰性气体离子注入并对惰性离子注入后的绝缘层进行湿法蚀刻以去除部分的绝缘层；以及

对所述绝缘层进行干法蚀刻以去除部分的绝缘层。

本发明还提供上述制备方法制得的晶体管，其包括：

基板；

形成在所述基板上的栅极结构；以及

覆盖所述栅极结构的绝缘层，所述绝缘层的材质为氧化硅；

所述绝缘层经惰性气体离子注入并蚀刻形成。

本发明的晶体管的制备方法，通过对湿法蚀刻前的绝缘层进行惰性气体离子注入，可有效提升绝缘层对酸性蚀刻液的耐蚀刻性，即绝缘层蚀刻过程中蚀刻速度会相应放缓，如此湿法蚀刻后得到的绝缘层会具有均一的膜厚，进而提升晶体管的性能，例如保证晶体管的阈值电压的均匀性。

附图说明

图1是本发明的晶体管的制备方法流程图。

图2A-2C为晶体管的制备方法的示意图一。

图3为晶体管的剖面示意图。

主要元件符号说明

具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。

具体实施方式

附图中示出了本发明的实施例，本发明可以通过多种不同形式实现，而并不应解释为仅局限于这里所阐述的实施例。相反，提供这些实施例是为了使本发明更为全面和完整的公开，并使本领域的技术人员更充分地了解本发明的范围。为了清晰可见，在图中，层和区域的尺寸被放大了。

除非另外定义，这里所使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与本发明所述领域的普通技术人员所通常理解的含义相同的含义。还应当理解，比如在通用的辞典中所定义的那些的术语，应解释为具有与它们在相关领域的环境中的含义相一致的含义，而不应以过度理想化或过度正式的含义来解释，除非在本文中明确地定义。

请参阅图1，一种半导体器件的制备方法。该半导体器件可为晶体管；且本实施例的制备方法中主要涉及动态随机存取存储器中的晶体管的制备。当然所述制备方法也可适用于其他的各种半导体装置的晶体管的制备。所述制备方法，其包括如下步骤。